ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.9072
3724
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DFN-5(5x6)
¥0.8346
771
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):780 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI123
¥1.29
2817
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥0.9134
0
YFW(佑风微)
TO-220F
¥0.75264
315
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):580mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:15A
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.918175
230
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1.8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-26
¥0.93496
7401
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA
LRC(乐山无线电)
DO-201AD
¥0.9295
3
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
DIOTEC(德欧泰克)
DO-15
¥0.932
5
正向压降(Vf):790mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.9326
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):710 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SOD-128
¥0.955
1707
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SMB(DO-214AA)
¥1.92
459
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):200uA@100V
DIODES(美台)
SOT-23-3
¥0.94
8250
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMB
¥0.9405
185
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):380mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
晶导微电子
ITO-220ABW
¥0.9434
300
正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:20A,反向电流(Ir):100uA@40V
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥1.1212
1345
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥0.9476
170
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@60V
停产
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.8825
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.76532
2475
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥0.9745
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):600mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
SILAN(士兰微)
TO-220
¥0.9767
50
正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
ST(意法半导体)
DO-214AA
¥0.712
900
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥0.98
505
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@100V
YFW(佑风微)
TO-252
¥1.0079
2
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.0829
1279
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):690 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥0.99
5075
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A,反向电流(Ir):100uA@100V
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥0.9945
130
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@30A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:30A
ST(意法半导体)
SOD-123FL
¥0.45
10349
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
DO-214AB
¥0.9975
2984
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SOD-123
¥0.9988
30
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-220AB
¥1.0008
4
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.01752
5498
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):690 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SC-70-6(SOT-363)
¥0.6166
3
二极管配置:2对串联式,正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA
晶导微电子
TO-220AB
¥1.0231
95
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A
晶导微电子
ITO-220ABW
¥1.0231
100
正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A,反向电流(Ir):50uA@150V
ROHM(罗姆)
TUMD2M
¥0.8972
35
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):730 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.1212
2618
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 150 V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥1.53143
107
正向压降(Vf):900mV@15A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:30A,反向电流(Ir):100uA@150V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-263-2
¥1.0285
305
正向压降(Vf):1.2V@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A,反向电流(Ir):100uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥1.4639
250
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):700mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:30A
TOSHIBA(东芝)
SMD
¥1.1212
6125
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-201AD
¥1.0712
1332
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.746256
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):380 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-252-2(DPAK)
¥1.0405
9
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@VRWM
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥1.1126
50
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):580mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:15A
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥3.09
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
0402
¥1.0581
100
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Kyocera(京瓷)/AVX
1206
¥1.0789
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥1.05
4189
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
ITO-220AB
¥1.0208
5
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV@15A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:30A