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Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-214AB(SMC)
¥0.6523
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SOT-363
¥1.632
36
二极管配置:2 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
LGE(鲁光)
SMAF
¥0.11
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
DIODES(美台)
PowerDI-5
¥0.7052
4690
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
TO-220AB-3
¥0.7014
4117
正向压降(Vf):910mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V
PANJIT(强茂)
SMC
¥0.6633
5
onsemi(安森美)
0201
¥0.9665
100
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.7657
4485
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 40 V
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.5161
100
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TECH PUBLIC(台舟)
SOT23-6
¥0.672
1355
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:4A,反向电流(Ir):50uA@40V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.7657
2747
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-220AB
¥0.6769
1170
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@40V
LGE(鲁光)
TO-220AB
¥0.68157
100
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
TO-220F
¥0.67032
440
正向压降(Vf):680mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A,反向电流(Ir):1uA
LGE(鲁光)
TO-252
¥0.88
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SC-70-3
¥0.443296
0
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
MDD(辰达行)
ITO-220AB-3
¥0.6742
4394
正向压降(Vf):910mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A,工作结温范围:-55℃~+150℃
SHIKUES(时科)
TO-277
¥0.7287
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:15A
onsemi(安森美)
SMA
¥3.75
50
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.49504
6618
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.8453
2914
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600 nA @ 30 V
TECH PUBLIC(台舟)
SOT-163
¥0.699
2790
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:4A,反向电流(Ir):50uA@40V
DIODES(美台)
PowerDI323
¥0.7689
2580
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
SMAF
¥0.7005
3
正向压降(Vf):600mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):220uA@60V
TOSHIBA(东芝)
S-FLAT
¥0.715
0
正向压降(Vf):360mV@1.5A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):1mA@30V
MDD(辰达行)
ITO-220AB-3
¥0.7076
3350
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥1.12721
200
正向压降(Vf):760mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A,反向电流(Ir):100uA@200V
MDD(辰达行)
ITO-220AB-3
¥0.7107
4
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
晶导微电子
TO-220AB
¥0.96466
775
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):50uA@100V
VISHAY(威世)
DO-201AD
¥0.602
39666
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SOD-123F
¥0.9065
40
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252
¥0.5938
2530
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
DIODES(美台)
Power-DI-323-2
¥0.792
2938
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 700 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
TO-277
¥0.72
0
正向压降(Vf):420mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):60uA@45V
Infineon(英飞凌)
SOD-882
¥0.723
3220
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.8254
6439
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):870 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220F
¥0.73278
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
SUNMATE(森美特)
TO-220AB
¥0.76608
120
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.69
17410
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1.1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥0.7385
0
SUNMATE(森美特)
TO-220AB
¥0.70224
150
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):650mV@5A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
TO-263
¥0.61272
360
正向压降(Vf):650mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):600uA@100V
GOODWORK(固得沃克)
ITO-220AB
¥0.7456
55
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@30A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:30A
PUOLOP(迪浦)
TO-220
¥0.676192
80
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):840mV@20A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.7506
60
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOT-23
¥0.7546
145
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.756
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥0.7561
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):770mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
TO-277B
¥0.7573
3910
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):640mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
ITO-220AB
¥0.9857
50
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):630mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A