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Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.5225
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥0.52443
6135
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SC-88
¥0.2352
2477
二极管类型:肖特基 - 2 个独立式,电压 - 峰值反向(最大值):70V,电流 - 最大值:100 mA,不同 Vr、F 时电容:1pF @ 20V,1MHz,功率耗散(最大值):380 mW
TOSHIBA(东芝)
SC-82
¥0.24293
216896
二极管配置:2个独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.5329
0
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@60V
SMC(桑德斯)
TO-220-3 全封装,隔离接片
¥0.4094
60
二极管配置:1 对共阴极,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.52324
4746
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-220AB
¥0.8113
50
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@45V
VISHAY(威世)
TO-277A
¥0.649
40291
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):880 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DFN1608-2
¥0.7298
30
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-15
¥0.49399
345
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.52425
1865
正向压降(Vf):595mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@20V
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.637
20099
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SC-89
¥0.5507
200
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 100 mA
VISHAY(威世)
SMB(DO-214AA)
¥0.5573
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥0.5592
20
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.5596
1662
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMC
¥0.533
14405
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIOTEC(德欧泰克)
DO-213AB
¥0.41
0
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
MDD(辰达行)
ITO-220AB-3
¥0.57456
3043
正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V
LRC(乐山无线电)
SMB-FL
¥0.4611
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):870mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.39963
380
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A,反向电流(Ir):1uA@150V
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.5766
1
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SILAN(士兰微)
TO-220F-3
¥0.5881
4305
晶导微电子
ITO-220AB
¥0.8143
785
正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A,反向电流(Ir):50uA@200V
PANJIT(强茂)
SMC(DO-214AB)
¥0.6016
3265
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.5816
15
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.5768
7420
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
ROHM(罗姆)
SOT-723
¥0.6045
0
二极管配置:1 对共阴极,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA
ROHM(罗姆)
2-SMD,扁平引线
¥0.6862
3138
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):5V,电流 - 最大值:10 mA,不同 Vr、F 时电容:0.8pF @ 1V,1MHz,工作温度:125°C(TJ)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.6114
549
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SC-82
¥0.6145
2713
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):50mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 50 mA
Comchip(典琦)
DFN0603-2
¥0.6152
35
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ROHM(罗姆)
SMA(DO-214AC)
¥0.5878
0
正向压降(Vf):730mV@1A,直流反向耐压(Vr):90V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@90V
Slkor(萨科微)
TO-220F
¥0.62093
205
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.6213
3060
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
SMB(DO-214AA)
¥0.614
25696
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252
¥0.622
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:10A
ROHM(罗姆)
SOD-323HE
¥0.5049
2064
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-213AB(MELF)
¥0.8138
180
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
ITO-220AB
¥0.6291
165
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
DIODES(美台)
X3-WLB1608-2
¥0.606
18398
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220
¥0.6408
35
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
华轩阳
TO-220F
¥0.635624
105
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.6408
75
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
MDD(辰达行)
ITO-220AB
¥0.642
50
正向压降(Vf):600mV@5A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):1mA@45V
VISHAY(威世)
MicroSMP(DO-219AD)
¥0.6429
397
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.21 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
2-SMD,扁平引线
¥0.6434
142
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):5V,电流 - 最大值:10 mA,不同 Vr、F 时电容:0.8pF @ 1V,1MHz,工作温度:125°C(TJ)
ST(意法半导体)
SOD-123F
¥0.345
10852
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.73359
2380
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)