onsemi(安森美)
SOT-723
¥0.248192
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.45724
51952
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMC
¥0.33
4694
正向压降(Vf):600mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@100V
DIODES(美台)
SMA
¥0.364
26239
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥0.260775
40
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
GOODWORK(固得沃克)
DO-27
¥0.1763
155
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.266328
281
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.339
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.339
2928
二极管配置:2 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
onsemi(安森美)
SOD-923
¥0.3224
17998
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.352
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
ST(意法半导体)
SMB
¥2.22
20
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.34
6932
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PROSEMI(普森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.341
400
正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA
停产
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.2821
735
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不适用于新设计
Nexperia(安世)
SOT-666-6
¥0.299166
3840
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.3498
7163
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
X3DFN
¥0.6251
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
SMB(DO-214AA)
¥0.351
0
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.367
8884
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.3937
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
晶导微电子
TO-252-2
¥0.3553
20
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@5A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.29109
2855
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
停产
ROHM(罗姆)
DFN1608-2
¥0.3589
112467
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):360 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323HP
¥0.36
240
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
X3-WLB1608-2
¥0.396
18125
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
DO-214AD
¥0.36
28910
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-204AL(DO-41)
¥0.362
4793
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):480mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.364
1250
正向压降(Vf):560mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
DIODES(美台)
X3-WLB0603-2
¥0.392
59686
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):710 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.4045
5
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.3679
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.272
48671
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):4V,电流 - 最大值:130 mA,不同 Vr、F 时电容:0.75pF @ 0V,1MHz,不同 If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA,10kHz
DIODES(美台)
SMB
¥0.38
7375
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.4125
431
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
晶导微电子
MBF
¥0.385
32088
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@100V
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.358
8915
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):575 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.37017
1975
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@20V
晶导微电子
SMB
¥0.3909
5
正向压降(Vf):600mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@100V
Infineon(英飞凌)
SC-70,SOT-323
¥0.395
18
二极管配置:1 对共阳极,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 100 mA
Infineon(英飞凌)
SOT-343-4
¥0.3989
1367
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
ROHM(罗姆)
SOD-123
¥0.4018
9426
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):730mV@1A,直流反向耐压(Vr):90V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SMB
¥0.402
17671
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PROSEMI(普森美)
SMB
¥0.407
0
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.4113
1155
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.3769
1925
正向压降(Vf):870mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,工作结温范围:-40℃~+150℃
TECH PUBLIC(台舟)
SOT-23
¥0.412
1115
正向压降(Vf):660mV@1500mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1.16A,反向电流(Ir):20uA@30V
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.3973
10688
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
DIODES(美台)
SMA
¥0.416416
0
正向压降(Vf):820mV@2A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:2A,反向电流(Ir):1.5mA@150V
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.524898
94
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):400 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)