onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.206
33139
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):1.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
KUU(永裕泰)
MiniMELF(LL-34)
¥0.0231
120696
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.7V~4.1V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.03744
41887
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):10.1uA,稳压值(范围):20.8V~23.3V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.055
225367
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2.0V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
ST(先科)
LL-41
¥0.112
96851
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,耗散功率(Pd):1W
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0627
27109
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):31V~35V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0524
191845
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):15.3V~17.1V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.078
162050
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800 nA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0827
35434
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):50nA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0698
122929
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.084
123758
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0979
170095
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.431
24609
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 4 V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0457
66227
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):60V,反向电流(Ir):100nA@46V,稳压值(范围):57V~63V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.054
387813
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
667687
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,稳压值(范围):5.32V~5.92V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0974
121305
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10 V
ST(先科)
DO-35
¥0.0506
24724
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0862
60079
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.17946
23411
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):11.45V~12.95V
DIODES(美台)
SMA
¥0.3674
21852
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 20.5 V
JUXING(钜兴)
SOD-123
¥0.031635
5350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.0386
548807
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.048639
30117
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.048918
49297
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.042
872541
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
FUXINSEMI(富芯森美)
LL-34(SOD-80)
¥0.0576
20800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.05481
186953
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
GOODWORK(固得沃克)
DO-214AC(SMA)
¥0.0909
11520
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):4.84V~5.36V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1
122276
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 4 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.253
134898
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA@3.0V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.02423
9428
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.04368
18223
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
ST(先科)
LL-34
¥0.044
208472
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V,耗散功率(Pd):500mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0485
35222
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA@2V,稳压值(范围):4.4V~5V
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.05772
12576
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):90nA@8V,稳压值(范围):11.8V~12.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0671
11470
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):50uA@4.2V,稳压值(范围):5.1V~5.5V,耗散功率(Pd):500mW
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.022785
158017
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@7.5V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
晶导微电子
SOD-323
¥0.03182
242489
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA@2V,稳压值(范围):4.4V~5V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0336
27370
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.2V~16.8V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0469
909014
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.066
31815
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):150uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):10Ω
晶导微电子
SMA
¥0.0792
403148
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
onsemi(安森美)
DO-204
¥0.1332
9000
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.6032
19529
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 11.5 V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0212
137332
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@10V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.03237
17642
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@22V,稳压值(范围):28V~32V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0476
49173
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):500nA@0.1V,稳压值(范围):31V~35V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0786
3328
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):28V~32V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0488
75609
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V