onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.072
191917
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SMA
¥0.3432
100430
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.022878
108551
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0446
566389
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.11
107301
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1092
36887
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
ST(先科)
LL-34
¥0.0499
94536
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):5.2V~6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.052725
32995
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):14.7V~15.3V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SMA
¥0.0792
339323
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):5.86V~6.51V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.165
34334
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms
华轩阳
LL-34
¥0.0216
74602
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):4uA@1V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.03744
81122
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):13uA@2.0V,稳压值(范围):4.4V~5V
JUXING(钜兴)
SOD-123
¥0.031825
4400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.048081
46818
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0454
40765
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.087
380842
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
华轩阳
LL-34
¥0.0201
21230
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):100nA@6.2V,稳压值(范围):7.7V~8.7V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06427
12900
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 9 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0619
259177
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):5V~5.2V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.033
42225
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):1uA@5.0V,稳压值(范围):7V~7.9V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.039
60080
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):15uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0495
279204
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.11
38628
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):44 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.121
92717
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):13.8V~15.8V
华轩阳
LL-34
¥0.025116
9100
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@18V,稳压值(范围):22.8V~25.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0446
31217
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA@7.0V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.044
2174181
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0296
24163
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0445
481003
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,稳压值(范围):11.4V~12.7V,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0741
12561
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07856
21782
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA,稳压值(范围):7.7V~8.7V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.08266
22385
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):6 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 6 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.4312
43023
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.0326
25300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):15.3V~17.1V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03624
18150
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
CBI(创基)
SOD-523
¥0.0393
58911
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):4.4V~5V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.17037
19512
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):5.9V~6.5V
德昌电子
DO-41
¥0.1771
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.135V~3.465V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.802
11667
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):1uA@1V,稳压值(范围):4.845V~5.355V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0219
113956
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):500nA@1V,稳压值(范围):4.4V~5V
晶导微电子
SOD-323
¥0.0319
54981
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.033
29350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):10.4V~11.6V
华轩阳
SOT-23
¥0.03224
189473
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0489
413248
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):11.4V~12.7V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0615
66897
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.41
95136
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):6.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.06978
1129635
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.0657
27608
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9.1V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):9Ω
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.091278
168557
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.214
30686
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 9.1 V