onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.0775
30495
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 16.8 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.105
20128
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.1397
22948
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:150 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 9.1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.2
13956
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.2035
135316
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):14Ω
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2629
1565
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.29898
16273
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):75uA@1.0V,稳压值(范围):3.24V~3.96V
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.331075
3425
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA@11.5V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.361095
4750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):2uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
DIODES(美台)
SMA
¥0.5074
21170
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 7.6 V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.5225
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):1uA,耗散功率(Pd):5W
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.484
15886
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):60 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 45.5 V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0539
247730
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):31V~35V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.02946
7950
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.85V~5.36V,耗散功率(Pd):500mW
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0374
34480
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.0393
61670
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOD-123
¥0.0512
24900
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07862
30472
稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@11.2V,稳压值(范围):15.68V~16.32V,耗散功率(Pd):500mW
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.046
227801
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.2V~6V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.05346
10399
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6.06%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0488
265841
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):200nA@50V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0542
23960
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.0564
18432
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):4.5uA@1V,稳压值(范围):3.23V~3.37V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0593
13845
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±1.96%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 1 V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0714
21512
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):17 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 13 V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
60183
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):1uA@76V,稳压值(范围):95V~105V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0961
165222
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 8 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.107
9084
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:370 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.106
68203
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.111
218682
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 9.1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
ST(先科)
LL-41
¥0.129
17197
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):10uA@7V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.12
14062
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):17 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.9 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SMB
¥0.351846
103079
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):12 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 13.7 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.4
44021
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 20.6 V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.54912
4707
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7.14%,功率 - 最大值:1.25 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0226
179428
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA@8.2V,稳压值(范围):10.4V~11.6V
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0247
160
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~21.2V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.034
207462
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.045
263563
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
ST(先科)
SOD-323
¥0.0463
163029
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):500nA@4V,稳压值(范围):7V~7.9V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0459
34950
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.2V~6V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0454
1022988
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):4.4V~5V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0479
435751
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,稳压值(范围):5.8V~6.6V,耗散功率(Pd):300mW
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0455
341478
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):22.8V~25.6V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0584
139208
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.065
175720
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 18.9 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0653
14338
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):19V,反向电流(Ir):50nA@14.4V,稳压值(范围):18.05V~19.95V
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
197858
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0624
47540
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9.0V,稳压值(范围):11.74V~12.24V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0755
15847
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 µA @ 1 V