LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0461
605031
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):3.7V~4.1V
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.04978
8700
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):500nA@1.0V,稳压值(范围):4.4V~5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.04648
12613
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):7V~7.9V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.04554
347870
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,稳压值(范围):4.4V~5V,耗散功率(Pd):500mW
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0502
1635175
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):50nA@25.2V,稳压值(范围):34V~38V
晶导微电子
SOD-123
¥0.052
14940
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.5V,稳压值(范围):5.49V~5.71V,耗散功率(Pd):500mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0592
8073
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):25.1V~28.9V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0533
239291
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0781
22283
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):22.8V~25.2V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0607
53834
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6.0V,稳压值(范围):8.85V~9.23V
ST(先科)
DO-41
¥0.0693
51761
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.84V~5.36V,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0701
245333
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.08512
19650
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0859
287254
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.084
244892
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0942
65055
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1265
26623
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):8.6V~9.59V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.153
6781
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):68 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):230 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 52 V
LRC(乐山无线电)
DO-214AC
¥0.13832
70251
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):11.4uA,稳压值(范围):14.25V~15.75V,耗散功率(Pd):1W
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.157
27191
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):13 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.181
59443
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6.1%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.236
6988
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.23607
3220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.475398
14429
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 18.2 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.49
93248
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):7.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.45
19818
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 4 V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03416
13850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.03648
6850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.2V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.02289
10800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA@23.1V,稳压值(范围):31V~35V
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.04845
36929
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
ST(先科)
SOD-123
¥0.04524
273972
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):7V~7.9V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.04784
13832
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA@23.1V,稳压值(范围):31V~35V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.06094
24509
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.047
26157
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):10.4V~11.6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0533
19612
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):14.7V~15.3V,耗散功率(Pd):200mW
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0499
394454
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,稳压值(范围):9.4V~10.6V,耗散功率(Pd):200mW
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.05022
17823
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@2.0V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0551
87797
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA@5V,稳压值(范围):7.7V~8.7V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.05543
206250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):3.7V~4.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0752
9384
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):20uA,稳压值(范围):2.5V~2.9V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07862
49993
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):25uA,稳压值(范围):3.14V~3.47V
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
27015
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):4.84V~5.36V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.07696
33319
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.079
18250
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):29 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 17 V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
204194
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):5uA@17V,稳压值(范围):20.8V~23.3V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
33968
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):10uA@7V,稳压值(范围):8.6V~9.59V
GOODWORK(固得沃克)
DO-214AC(SMA)
¥0.089015
4000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):5.32V~5.92V
ST(先科)
DO-41
¥0.0863
15641
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.076
125629
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0979
8992
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):26 V,容差:±2.5%,功率 - 最大值:310 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 21 V