CJ(江苏长电/长晶)
MBF
¥0.1339
80
正向压降(Vf):1V@0.4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.15184
48468
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
JUXING(钜兴)
DO-41
¥0.120745
60
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9.1V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):9Ω
晶导微电子
SMB
¥0.16709
3094
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
TOSHIBA(东芝)
SOD-523
¥0.1531
14849
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
SMC
¥0.1622
116430
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.147
180257
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.1595
120
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.1696
3225
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):31.4V~34.7V
VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.153696
4299
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.0919
23740
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.162
286466
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
ROHM(罗姆)
SMA(DO-214AC)
¥0.18
197457
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.106
23554
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.154
19140
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.142
11498
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):19 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 14.4 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.19342
14800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.165
12005
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.20577
157634
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-323HE
¥0.2145
360041
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
MiniMELF
¥0.22288
125066
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
DO-214AC
¥0.19552
11030
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):500uA@40V
LGE(鲁光)
R-6
¥0.240825
2780
正向压降(Vf):950mV@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2756
2315
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):180V,反向电流(Ir):1uA@130V,稳压值(范围):168V~191V
YFW(佑风微)
SMAF
¥0.2845
8855
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
SUNMATE(森美特)
R-6
¥0.3
21890
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@1kV
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.252
540933
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SMC
¥0.2654
5240
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@60V
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.33516
32995
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@2V,稳压值(范围):4.845V~5.355V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.33417
3570
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):75uA@1V,稳压值(范围):3.42V~3.78V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.355
38105
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 µA @ 1 V,工作温度:150°C,安装类型:表面贴装型
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.3729
35414
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
VISHAY(威世)
DO-219AB(SMF)
¥0.3796
198366
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.38
194603
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.441
53602
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.416
4592
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6.1%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.5068
8710
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 18.2 V
TOSHIBA(东芝)
S-FLAT(1.6x3.5)
¥0.4536
79329
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):980 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.4064
16978
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMC
¥0.53865
9644
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.480249
107777
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.489
19245
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.528
29926
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.50441
26916
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.53
34535
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):3 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 6 V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.473195
3150
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):500nA@15.2V,耗散功率(Pd):5W
晶导微电子
TO-252-2
¥0.55
75305
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:20A
MDD(辰达行)
GBU
¥0.6557
3815
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@600V
TWGMC(台湾迪嘉)
TO-277
¥0.7049
17235
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:15A
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.9038
191
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A