YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.205
11273
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.2653
1440
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.1938
350
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.155
12937
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-27
¥0.2233
1560
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.212135
4230
正向压降(Vf):525mV@3.0A,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):2mA@40V,工作结温范围:-65℃~+125℃
LGE(鲁光)
SMB
¥0.209855
7230
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.21
18492
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.22806
5985
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.2612
0
正向压降(Vf):550mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):500nA@25V
不适用于新设计
MCC(美微科)
MBS-1
¥0.168
25095
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.2
10070
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
MCC(美微科)
DO-221AC
¥0.2352
71812
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ElecSuper(静芯)
SMB
¥0.2358
838
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.23
56739
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):710 mV @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.255
165150
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMA
¥0.2641
24118
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
LGE(鲁光)
SMB
¥0.21528
8250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):1uA@12.2V,稳压值(范围):15.2V~16.8V
晶导微电子
KBP
¥0.2728
4688
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
晶导微电子
SMC
¥0.26
10090
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.3V@8A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:8A
MDD(辰达行)
UMSB
¥0.28804
16866
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
VISHAY(威世)
SC-76,SOD-323
¥0.4086
5805
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.30742
12990
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):1uA@13.7V,稳压值(范围):16.2V~19.8V
晶导微电子
SMC
¥0.308
207383
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@100V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.34263
5318
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.362425
2905
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@100V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.37017
2845
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):320mV@1A,直流反向耐压(Vr):15V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.34
405361
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.377
7949
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.383229
4093
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.38272
11553
正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@60V
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.327
82467
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.39051
6180
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
LGE(鲁光)
SMB
¥0.4143
2075
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):14.25V~15.75V
MDD(辰达行)
R-6
¥0.3727
1215
正向压降(Vf):1V@15A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.105
19402
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):14.25V~15.75V,耗散功率(Pd):1W
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.379
14303
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):27 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 38.8 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.380754
28425
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):3.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 6.5 V
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-201AD
¥0.47637
940
正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@200V
LGE(鲁光)
SMC
¥0.37035
4795
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@8A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
YANGJIE(扬杰)
TO-252
¥0.68014
23370
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.7488
52839
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1.16A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.7078
14242
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.71288
1241
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
MCC(美微科)
SMC(DO-214AB)
¥0.7637
1425
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.6058
0
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@60V
VISHAY(威世)
DO-221AC
¥0.73728
3675
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.806652
88149
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.79579
15325
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOD-57
¥0.88
199049
二极管类型:雪崩,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.5 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)