Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.036072
35792
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 23.1 V
晶导微电子
SMA
¥0.0697
1010
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0634
161479
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.0922
2900
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.06
66865
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0589
20494
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.060705
9199
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
137345
稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):12.4V~14.1V,耗散功率(Pd):300mW
LGE(鲁光)
MBF
¥0.06318
4468
正向压降(Vf):1V@0.8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.06394
317012
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0671
72583
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@4.0V,稳压值(范围):6.08V~6.32V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.06487
84420
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):40uA@40V
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.068
304058
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.07137
780
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
MSKSEMI(美森科)
DO-214AC(SMA)
¥0.07334
51900
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):19V~21.2V
德昌电子
SOD-123
¥0.07316
25575
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):45nA,稳压值(范围):26.46V~27.54V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.0683
536197
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
华轩阳
SMA
¥0.080495
4040
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.06759
15045
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):5Ω
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.07639
52051
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.07806
36890
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMAF
¥0.0825
129464
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@20V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.08874
11820
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.0858
125986
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A
UMW(友台半导体)
SMB
¥0.0862
8300
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):200uA@100V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0877
69687
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80
¥0.0895
219515
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0899
144416
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-214AC(SMA)
¥0.09328
108275
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
FOSAN(富信)
SMA
¥0.104595
600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.101277
254404
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.0962
52015
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
DIODES(美台)
SOT-23-3
¥0.103
57254
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1155
12965
稳压值(标称值):16V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):16Ω,阻抗(Zzk):700Ω
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1144
661499
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.121
48820
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):9A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.12
84129
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 6.9 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.123
9851
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.141
271945
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0718
28292
稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SMB
¥0.143
146076
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMA
¥0.1265
1390
稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):10uA@6V,稳压值(范围):7.79V~8.67V,耗散功率(Pd):1W
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.147
18884
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 µA @ 1 V
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.15066
5520
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
BORN(伯恩半导体)
SMB
¥0.1623
13872
正向压降(Vf):750mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):400uA@60V
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.15912
20059
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
SMC
¥0.1628
18950
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.18539
30130
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7.6V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.165
43912
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):14.3V~15.8V
晶导微电子
SMA
¥0.1705
24641
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.6V