FUXINSEMI(富芯森美)
DO-27
¥0.23288
1430
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
MCC(美微科)
DO-214AB(SMC)
¥0.24648
10044
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
MicroSMP(DO-219AD)
¥0.2523
37436
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-204AL
¥0.3212
5590
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.34
14058
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.4704
35358
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 19 V,工作温度:150°C,安装类型:表面贴装型
MDD(辰达行)
SMC
¥0.3997
7862
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:8A
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.42294
7240
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):4.85V~5.36V
ST(意法半导体)
SMB
¥0.4289
7180
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):25 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
R-6
¥0.459
2691
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 10 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA
¥0.4399
16345
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 29.7 V
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.486
20603
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):410 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-214AA,SMB
¥0.4524
21128
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
DO-214AC(SMA)
¥0.56264
8304
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2
¥0.5668
39598
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A,反向电流(Ir):100uA@100V
GOODWORK(固得沃克)
HBS
¥0.58734
4350
正向压降(Vf):1V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
TO-220AB-3
¥0.7844
1484
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.9214
9915
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
TO-252-2
¥0.862
53661
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 10 A
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥0.6118
7579
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±10%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 9.1 V
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.89127
12819
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):1uA@9.4V,稳压值(范围):12.35V~13.65V
Comchip(典琦)
SMA(DO-214AC)
¥0.6714
40
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
TO-263-2
¥1.51
677
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):840mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
R-6
¥1.809
629
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):510mV@20A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
ST(意法半导体)
DPAK
¥1.52
8112
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.2 V @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-277-3L
¥1.97426
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):12A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 12 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SKYWORKS(思佳讯)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥1.77
15440
二极管类型:肖特基 - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):2V,电流 - 最大值:50 mA,功率耗散(最大值):75 mW,工作温度:-65°C ~ 150°C(TA)
YANGJIE(扬杰)
KBPC
¥4.31
551
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):50 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 25 A
JUXING(钜兴)
SOD-123FL
¥0.015865
7900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-35
¥0.01888
7050
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
¥0.020492
20945
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.02283
889533
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.022515
330443
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.02298
114393
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):100nA@6.8V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
华轩阳
LL-34
¥0.02267
51149
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):10.4V~11.6V
MDD(辰达行)
SMA
¥0.03026
71649
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
15930
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):4.4V~5V
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.030305
2505
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
DOWO(东沃)
SOD-123
¥0.032
3250
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.85V~5.36V,耗散功率(Pd):500mW
CBI(创基)
SOD-323
¥0.0311
86594
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.5V,稳压值(范围):5.2V~6V
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.03097
8550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0352
18380
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
UMW(友台半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.0302
20698
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0331
149046
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):10.45V~11.55V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.03338
14365
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):50uA@1V,稳压值(范围):2.85V~3.15V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.036
8840
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):510mV@500mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:380mA
JUXING(钜兴)
SOD-323
¥0.03515
300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.0342
17675
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):11.4V~12.7V
MDD(辰达行)
SOD-523
¥0.0397
24785
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
JUXING(钜兴)
SOD-123FL
¥0.0418
2800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A