YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0545
17912
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7.14%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.06812
31121
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.05304
12327
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0585
128227
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 16.8 V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0608
233945
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):25uA@1V,稳压值(范围):3.14V~3.47V
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.061845
7300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.0636
5980
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):20V,反向电流(Ir):500uA
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.05668
10507
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
MBS
¥0.0627
6880
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A,工作结温范围:-55℃~+150℃@(Tj)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0704
224394
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.7V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):8.27V~9.14V
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
172041
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):16.8V~19.2V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.07472
6055
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.078
8580
二极管配置:1对共阳极,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA@23.1V,稳压值(范围):31V~35V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.0766
320
稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):100uA@1V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):10Ω
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0796
130793
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
SUNMATE(森美特)
SMA(DO-214AC)
¥0.09386
27220
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOT-323-3
¥0.07054
52633
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.0853
29997
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.09755
42548
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
Nexperia(安世)
SOD-323(SC-76)
¥0.080544
43059
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.08816
12185
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.088
42153
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
Slkor(萨科微)
SOD-123FL
¥0.06309
1926
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.1314
4647
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.108
5709
二极管配置:2 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.10665
4476
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:3A
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.1188
275682
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0895
38979
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4 µA @ 2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.065
77991
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-41G
¥0.12339
2480
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7.6V,耗散功率(Pd):1W
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.08115
9260
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):670mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.1272
3870
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
Tokmas(托克马斯)
SMA
¥0.1298
8480
正向压降(Vf):790mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):1uA@100V
Slkor(萨科微)
SMC(DO-214AB)
¥0.1386
9248
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@60V
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.129
93484
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.1787
5980
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMC
¥0.1485
92426
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.1379
12330
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):91V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):86V~96V
MCC(美微科)
DO-214AA(SMB)
¥0.2571
500
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.1597
8910
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.167485
4725
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.179
7119
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±6.7%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
TOSHIBA(东芝)
SC-59
¥0.1865
133040
正向压降(Vf):600mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):5uA@40V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-123
¥0.224
199413
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-323HE
¥0.177
274514
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.151
10767
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.23192
24635
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.224
13359
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.243
4835
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 7.6 V
onsemi(安森美)
SC-79,SOD-523
¥0.19864
24572
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V