GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.04536
9740
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.85V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
ST(先科)
SOD-123
¥0.0449
197399
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):1uA@3V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
ST(先科)
SOD-323
¥0.0473
27174
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):4.4V~5V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.047
1703127
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,稳压值(范围):6.4V~7.2V,耗散功率(Pd):200mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0484
12153
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA@1.0V,稳压值(范围):31V~35V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0481
43647
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):8.5V~9.6V
YFW(佑风微)
SOD-123
¥0.04216
8450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
ST(先科)
SOT-23
¥0.0495
18782
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):715mV@1mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:215mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.046
23928
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):400mV@10mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0486
801330
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.06183
7086
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
ST(先科)
TO-236
¥0.0572
19853
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.0583
14240
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):100nA@6.8V,稳压值(范围):8.5V~9V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0671
48676
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA,稳压值(范围):9.8V~10.2V
KEC(开益禧)
USC
¥0.0615
5766
正向压降(Vf):900mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0499
52651
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.06042
10540
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0791
42653
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.066
42641
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.06812
10983
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@500mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0671
34773
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):19V~21V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.07208
17200
二极管配置:1对共阳极,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):300nA@6.0V,稳压值(范围):8.65V~9.56V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0597
18794
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):2.2V~2.6V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0658
402092
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±3%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.07894
10999
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.0774
17580
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.07904
37014
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):130 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DOWO(东沃)
DO-214AC(SMA)
¥0.0807
24614
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
晶导微电子
SMA
¥0.0792
13010
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):91V,反向电流(Ir):1uA@69V,稳压值(范围):86V~96V
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.08
12531
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
MBS
¥0.0858
59649
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.09196
5700
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18.2V,稳压值(范围):22.8V~25.2V
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.088
517794
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0902
76415
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:250mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.08008
18654
正向压降(Vf):370mV,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):1uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):1.5A
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.092
51304
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0572
11956
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.099
87102
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.104
151388
二极管配置:2 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):140mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 50 mA
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.15849
30345
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.10406
388462
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.07342
14996
正向压降(Vf):950mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@150V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.11286
8680
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.2V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.112
119982
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.11416
47765
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):5.86V~6.51V
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.1302
149586
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):120V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.1304
5749
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±8%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 1 V
晶导微电子
SMAF
¥0.132
101835
正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@60V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1323
3980
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3.5 V
MDD(辰达行)
SMA
¥0.122835
4890
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):12.4V~14.1V