LGE(鲁光)
SMB
¥0.78075
2910
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):50uA@1.0V,稳压值(范围):3.71V~4.1V
SMC(桑德斯)
DPAK
¥0.7927
1025
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 200 V
onsemi(安森美)
DO-214AC
¥0.82
11965
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-41
¥2.25
130
正向压降(Vf):1.8V@0.1A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA@2kV
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥1.3385
25
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI-5
¥0.9647
65330
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 8 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.276
21755
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.33
68880
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):7A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 7 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-1289
¥2.5935
1561
正向压降(Vf):490mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):600uA@45V
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥0.7492
5090
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SDIP-4
¥1.4352
6431
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-277B
¥1.755
1164
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):840mV@20A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
SMC(桑德斯)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥1.94
793
二极管配置:1 对共阴极,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI-5
¥2.496
8601
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-220-2
¥2.4354
1574
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-220-2
¥3.36326
4263
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Littelfuse(美国力特)
TO-220AC-2
¥3.7
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.75 V @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.020808
7885
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V,耗散功率(Pd):500mW
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.0218
13300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.0143
14000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:900mA
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0167
106600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.019278
2500
稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V,耗散功率(Pd):500mW
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
¥0.02127
1540
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
晶导微电子
SMA
¥0.0231
37275
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323(SC-90)
¥0.02358
17350
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA,反向电流(Ir):5uA
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0273
10695
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):4V~4.6V
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0271
14414
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):12.4V~13.1V
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.0332
20550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.033
40026
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
JUXING(钜兴)
SOD-123
¥0.031635
1150
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@16.8V,稳压值(范围):22.8V~25.6V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03195
12350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0331
3440
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-323
¥0.0319
11260
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2V,稳压值(范围):5.2V~6V
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.041888
3650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@0.2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
SHIKUES(时科)
SOD-523
¥0.03876
17296
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:125mA
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.0431
133911
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
晶导微电子
SOD-323W
¥0.0311
11155
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
ST(先科)
SOD-123
¥0.04784
10863
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):25V,反向电流(Ir):100nA@19V,稳压值(范围):23.75V~26.25V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.0473
7700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@15mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.045
901866
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.04797
9840
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):8.5V~9.6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0496
21730
稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):3.1V~4.1V,耗散功率(Pd):200mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.046
22660
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):25.1V~28.9V
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.0498
107215
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):855 mV @ 10 mA
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.05193
1300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
德昌电子
SOD-123
¥0.05546
8080
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):4.5uA@1V,稳压值(范围):3.42V~3.78V
晶导微电子
SOD-123
¥0.054
600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.05439
427904
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):500nA@9.9V,稳压值(范围):12.35V~13.65V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.05985
15950
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-323
¥0.055
211999
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A