SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.3458
2980
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):1uA@9.9V,耗散功率(Pd):5W
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.27248
4983
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.345135
1855
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.33056
82648
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):875 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-80
¥0.2902
2000
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):125 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.38
277886
二极管类型:雪崩,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.434625
10110
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.45
22126
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):980 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ZHIDE(志得)
SMB
¥0.4914
3210
正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@40V
ST(意法半导体)
SMB
¥0.776
2440
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.48235
23243
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SC-79,SOD-523
¥0.444
31603
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):750mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.566485
4510
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.0V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.61065
2345
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:15A
FUXINSEMI(富芯森美)
ITO-220AC
¥0.6572
655
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.8V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.69472
15781
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):750mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):380 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-216AA
¥0.594
28784
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):380 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.862
27790
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.91827
1153
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):630mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.9845
3135
正向压降(Vf):530mV@20A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A,反向电流(Ir):75uA@60V
PANJIT(强茂)
TO-277
¥1.0914
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):12A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 12 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.867
8785
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250 µA @ 60 V
Infineon(英飞凌)
SC-76,SOD-323
¥1.2
11281
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):4V,电流 - 最大值:110 mA,不同 Vr、F 时电容:0.35pF @ 0V,1MHz,功率耗散(最大值):100 mW
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥1.4248
9915
正向压降(Vf):850mV@20A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A,反向电流(Ir):50uA@150V
Slkor(萨科微)
SOD-523
¥0.81621
16435
二极管配置:独立式
LGE(鲁光)
ITO-220AB
¥2.71
0
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.4V@20A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:20A
ST(意法半导体)
Power-FLAT(5x6)
¥3.06
5109
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):960 mV @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
RUILON(瑞隆源)
SOD-80
¥0.010472
11800
稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):34V~38V,耗散功率(Pd):500mW
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.1305
50
正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@400V
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.02739
160667
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.02596
6680
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.030515
38950
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
JUXING(钜兴)
SOD-123
¥0.031635
1200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03408
19200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@21V,稳压值(范围):28V~32V
YFW(佑风微)
SMAF
¥0.03382
400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SMA
¥0.0355
23320
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
MBF
¥0.0364
5960
正向压降(Vf):1V@0.3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:600mA,反向电流(Ir):5uA@600V
SHIKUES(时科)
SOD-523
¥0.03647
170849
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0391
2540
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.3V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.2V~6V
Slkor(萨科微)
SOD-123FL
¥0.0377
8416
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@100V
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.04161
29677
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2V,反向电流(Ir):150uA@1.0V,稳压值(范围):1.91V~2.09V
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.0475
5840
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):14.7V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~16.6V
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.04275
850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
ST(先科)
LL-34
¥0.044
47300
稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@22V,稳压值(范围):28V~32V,耗散功率(Pd):500mW
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.04419
20900
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.32V~5.88V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0459
51976
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):11.4V~12.7V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23(TO-236)
¥0.04446
1700
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.85V~5.36V
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.047215
1200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.05023
352192
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0476
834935
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):500nA@50V,稳压值(范围):2.2V~2.6V