YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.06126
5764
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.0899
47503
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
SOT-23
¥0.08653
7520
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
Nexperia(安世)
SOD-323(SC-76)
¥0.06031
153118
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.083695
36034
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-523
¥0.088
144816
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
Slkor(萨科微)
SOT-523
¥0.0923
7332
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.09568
57526
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0869
41691
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
MSKSEMI(美森科)
SMAF
¥0.085
3697
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.090117
20260
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
SHIKUES(时科)
SOD-523
¥0.09101
4960
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@50mA,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:100mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.06698
7156
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.66V~6.94V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.09672
182239
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.07657
7200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):150uA@1V,耗散功率(Pd):1W
TOSHIBA(东芝)
SC-76-2
¥0.0889
11460
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-123FL
¥0.106
21180
正向压降(Vf):750mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@100V
SUNMATE(森美特)
DO-15
¥0.113905
43570
正向压降(Vf):5V@200mA,直流反向耐压(Vr):5kV,整流电流:200mA,反向电流(Ir):5uA@5kV
晶导微电子
SOD-123
¥0.075
29039
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.12272
28629
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@50mA,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:50mA
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.107
48102
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.104
8420
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):45nA@10.5V,稳压值(范围):14.7V~15.3V
Nexperia(安世)
SOT-323
¥0.138402
62393
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
ST(先科)
LL-41
¥0.1226
18547
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):5uA@9.9V,耗散功率(Pd):1W
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.127
60815
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.1V@50mA,直流反向耐压(Vr):175V,整流电流:100mA
Tokmas(托克马斯)
DO-214AC
¥0.1743
13320
正向压降(Vf):680mV,直流反向耐压(Vr):10V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.1641
3213
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.15496
20262
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
UMSB
¥0.2017
7460
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.15
202974
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMBF
¥0.1248
6122
正向压降(Vf):1.3V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.11529
109338
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.1628
15464
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
MDD(辰达行)
DO-15
¥0.1628
2180
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@100V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.1541
3227
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YFW(佑风微)
SMAF
¥0.1749
10770
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
YFW(佑风微)
SMB
¥0.196
2430
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.1813
26980
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):5uA@12.2V,稳压值(范围):15.2V~16.8V
JUXING(钜兴)
KBP
¥0.195795
720
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1kV
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.19959
45720
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.201566
263098
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.174
26396
正向压降(Vf):650mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@60V
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.1802
5235
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@20V
DOWO(东沃)
SMB(DO-214AA)
¥0.21424
25366
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):2uA@9.1V,耗散功率(Pd):5W,阻抗(Zzt):2.5Ω
VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.2233
8060
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
SMB
¥0.235
3690
正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A,反向电流(Ir):1uA
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.267
18414
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):200uA@60V
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.337
3349
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.3886
840
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.24
115997
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)