VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥0.723
61003
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-214AA(SMB)
¥0.5148
7450
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB
¥0.97051
13971
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):4.465V~4.935V
YFW(佑风微)
TO-277
¥0.82496
435
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:15A
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥0.9423
313
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.65V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:20A
onsemi(安森美)
DPAK
¥1.07
52668
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
LRC(乐山无线电)
SIP-4P
¥1.4248
1976
正向压降(Vf):1.05V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):5uA
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.551
41523
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):12A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 12 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SKYWORKS(思佳讯)
SC-79
¥1.44681
0
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):2V,电流 - 最大值:50 mA,功率耗散(最大值):75 mW,工作温度:-65°C ~ 150°C(TA)
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.013464
9250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):20.8V~23.3V
KUU(永裕泰)
SMAF
¥0.014872
347750
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.02142
6050
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.022
56662
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):22.8V~25.6V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0254
1500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0242
106150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0253
194700
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
华轩阳
SOT-23
¥0.026691
3020
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.02924
6584
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.0336
6250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.02816
57294
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.046
719832
二极管配置:1对共阴极,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):225mW
KUU(永裕泰)
SOD-523
¥0.0355
12400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.041135
107956
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V
LGE(鲁光)
SOD-80
¥0.043985
4920
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@7.5V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
Slkor(萨科微)
SOD-523
¥0.0357
6320
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:155mA
晶导微电子
SMA
¥0.0418
133546
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.034379
45733
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 8.4 V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0476
21850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):7V~7.9V
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.05111
26895
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.05169
20122
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA@1V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.05016
21600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA@1.0V,稳压值(范围):3.23V~3.37V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.04797
8870
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
华轩阳
SOD-323
¥0.054472
98560
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):5V~5.2V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0509
25596
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:300mA,反向电流(Ir):2uA@25V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.053
16193
正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:75mA,反向电流(Ir):5uA@75V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0493
251288
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24.2V,稳压值(范围):22.8V~25.6V,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0649
156864
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.05832
16440
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):2.7uA@1V,稳压值(范围):3.82V~3.98V
SHIKUES(时科)
SMA(DO-214AC)
¥0.05845
558707
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.058
34736
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:250mA
FOSAN(富信)
SOD-123FL
¥0.0627
97136
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@40V
MDD(辰达行)
SMA
¥0.0587
11400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0773
56686
稳压值(标称值):5.1V,稳压值(范围):5V~5.2V,耗散功率(Pd):150mW,阻抗(Zzt):60Ω
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.0742
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.0693
75512
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0715
127046
正向压降(Vf):650mV@50mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):500nA@25V
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.09547
19906
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.07498
20677
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
VISHAY(威世)
QuadroMELF
¥0.0874
4797
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0823
11823
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:225mA