DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0804
54598
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15 V
GOODWORK(固得沃克)
SMA
¥0.080495
11180
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
Slkor(萨科微)
SOT-323
¥0.07461
3300
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:215mA
FOSAN(富信)
SMA
¥0.0902
82710
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@40V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0879
64305
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.0758
11917
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.10906
11880
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.108775
177837
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):4.84V~5.36V
YFW(佑风微)
SMAF
¥0.086
6627
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.84V~5.36V
DIODES(美台)
SC-79,SOD-523
¥0.102
59200
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):125mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0889
119943
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.105
39985
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):13 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 9.9 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.1107
56559
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0875
11032
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):520mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.12627
15400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.108
132597
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 27 V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.1221
35170
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1274
6035
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):105 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 36 V
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.129675
6905
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.1319
76246
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.138
23837
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.152095
25555
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.148
30434
二极管配置:3个独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:250mA
SUNMATE(森美特)
DO-15
¥0.155325
1460
正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.129
116066
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):510mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.153
107885
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
不适用于新设计
MCC(美微科)
MBS
¥0.22631
2712
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.0825
29333
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-41 (DO-204AL)
¥0.3212
105
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 2 V
FUXINSEMI(富芯森美)
MBS
¥0.238
7010
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA
Tokmas(托克马斯)
DO-214AB
¥0.2427
4980
正向压降(Vf):790mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.237
28174
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.2704
36392
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMF
¥0.245
191652
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):980 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.28489
14674
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.286
12016
正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@150V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.20934
53251
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 200 mA
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.21112
14786
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.3892
2090
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2.5uA@2V,稳压值(范围):4.84V~5.36V,耗散功率(Pd):1.5W
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.359
28114
正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@40V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.36128
4175
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:10A
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.36
7952
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):90 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-220AA(SMP)
¥0.374
42253
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):780mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
MBS
¥0.38223
3200
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):550uA
VISHAY(威世)
SMF
¥0.366
10900
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1.1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):540 mV @ 1.1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.416
11460
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
UMSB
¥0.4738
6390
正向压降(Vf):1.3V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.5918
17688
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
GOODWORK(固得沃克)
GBU
¥0.672
2652
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥0.71668
1410
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@20A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A