LGE(鲁光)
GBJ
¥1.34
890
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):5uA@1kV
VISHAY(威世)
DPAK(TO-252AA)
¥1.32
4070
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-263-2
¥2.2
7730
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 10 A
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0275
205000
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):50nA@43.4V,稳压值(范围):58V~66V,耗散功率(Pd):300mW
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.01841
5599
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
华轩阳
SMA
¥0.0214
103755
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0237
571885
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0267
5026
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.7V~4.1V
FOSAN(富信)
SOD-123FL
¥0.0297
98156
正向压降(Vf):700mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@40V
KUU(永裕泰)
1206
¥0.038
308650
正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):400mW
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.0404
6850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):200nA,稳压值(范围):8.5V~9.6V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.03738
19150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CBI(创基)
SOD-123
¥0.03692
25746
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0509
546183
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):12.4V~14.1V
华轩阳
SOT-23
¥0.0435
74880
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-323
¥0.048
30050
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:150mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.04702
29379
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA@1V,稳压值(范围):4V~4.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0572
20654
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):37V~41V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0509
15930
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.046
439100
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):500nA@50V,稳压值(范围):4.4V~5V
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0484
393513
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.04774
542312
正向压降(Vf):370mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:30mA,反向电流(Ir):500nA
MCC(美微科)
SOD-523
¥0.0499
10452
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.05022
6750
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
CBI(创基)
SOD-523
¥0.0509
2350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.05157
17998
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SMBF
¥0.053
10300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
晶导微电子
SOD-123
¥0.054
1750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0529
24618
稳压值(标称值):56V,反向电流(Ir):100nA@42V,稳压值(范围):53V~59V,耗散功率(Pd):500mW
LGE(鲁光)
LL-34(Mini-MELF)
¥0.054815
15500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):2.51V~2.89V
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.06354
10640
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@1A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0558
52912
正向压降(Vf):410mV,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0603
14355
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):20uA@1.0V,稳压值(范围):2.5V~2.9V
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.042
13745
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.06372
11454
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0605
23656
正向压降(Vf):550mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@20V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.07589
37838
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):225mW
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.065
362323
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.066
4700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:30mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.06864
23004
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.068495
76700
正向压降(Vf):3V@500mA,直流反向耐压(Vr):3kV,整流电流:200mA,反向电流(Ir):5uA@3kV
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0671
789570
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
MDD(辰达行)
DO-15
¥0.0683
5133
正向压降(Vf):1.3V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
385925
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):5.86V~6.51V
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
134905
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18V,稳压值(范围):22.8V~26V
MDD(辰达行)
UMB
¥0.0753
24035
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
PANJIT(强茂)
SOD-523
¥0.08
13439
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
MBS
¥0.0803
57940
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@600V
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.09272
132947
正向压降(Vf):1.7V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
SMA
¥0.0792
611955
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):5.32V~5.92V