DIODES(美台)
SOD-323
¥0.105
24741
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.1029
15671
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.1016
29048
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.1045
248241
二极管配置:1对共阳极,反向电流(Ir):100nA@0.8V,稳压值(范围):4.8V~5.4V,耗散功率(Pd):300mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.111
4420
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):4.47V~4.94V
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.10017
1670
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):460mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
MDD(辰达行)
SMB
¥0.09531
237222
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOT-523
¥0.11277
4238
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):75mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.113
12655
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5.42%,功率 - 最大值:370 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.113
40425
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 5 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.12272
50550
类型:齐纳,单向通道:2,电压 - 反向断态(典型值):22V,电压 - 击穿(最小值):25.65V,不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):40V
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.13
2866
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
SMC
¥0.13088
8700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
JUXING(钜兴)
SMB
¥0.137845
10160
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@40V
晶导微电子
SMBF
¥0.1408
67247
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@40V
JUXING(钜兴)
DBS
¥0.144
7975
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.1417
20560
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:2A
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.144
53282
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 800 mV
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.156
30295
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.17888
28280
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5.5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.1766
13089
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-523-3
¥0.22612
5055
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):125mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 50 mA
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.19
286170
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MDD(辰达行)
SMC
¥0.20497
4809
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.208
39683
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SOD-123
¥0.2
14097
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.22383
24035
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):22.8V~25.2V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.148
14243
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.2407
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
Comchip(典琦)
SOD-523F
¥0.2149
3550
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.247
16563
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA
LRC(乐山无线电)
DFN1608-2
¥0.12896
33981
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):560mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.28542
5649
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.31796
18639
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.310464
56564
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.3536
6166
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123F
¥0.396
2852
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.3571
5360
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.385
216371
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.42294
5235
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.494
22482
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
GBU
¥0.56
7548
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1000V
MOT(仁懋)
TO-220
¥0.5873
1895
正向压降(Vf):570mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A,反向电流(Ir):50uA@45V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.8533
1650
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 5.2 V
VISHAY(威世)
SOD-57
¥0.7582
98741
二极管类型:雪崩,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.5 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214BA
¥0.776
5010
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1300 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.7762
15247
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-277
¥0.84702
6794
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):590mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:12A
YFW(佑风微)
TO-263
¥0.8916
835
正向压降(Vf):760mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A,反向电流(Ir):1mA@100V
onsemi(安森美)
SOD-323HE
¥0.8936
3210
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)