CBI(创基)
SOT-23
¥0.0188
34849
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:300mA
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.020475
9195
稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):500nA@1V,稳压值(范围):4.4V~5V,耗散功率(Pd):500mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.02504
42050
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.0258
30810
正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
11999
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):900nA@6.0V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0281
34161
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.028785
14850
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.03515
23663
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CBI(创基)
SOD-523
¥0.0337
19874
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.03621
4400
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):920mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.03682
17980
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA@50V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0372
25950
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.04025
3400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):50nA@14.0V,稳压值(范围):18.8V~21.2V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.04029
7400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123
¥0.0418
20170
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):14.7V~15.3V,耗散功率(Pd):500mW
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.042226
12305
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:380mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.04329
9450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0486
9558
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):2.8V~3.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0579
27392
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):20.8V~23.3V
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.05
124174
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):175mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SOT-323-3
¥0.0502
525195
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):400mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.048
435944
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):2.2V~2.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0527
76119
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):120uA@1.0V,稳压值(范围):3.32V~3.53V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.05376
19580
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.0509
4440
正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0728
24024
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):4V~4.6V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0588
105716
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0572
369746
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,稳压值(范围):31V~35V,耗散功率(Pd):500mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0616
4765
正向压降(Vf):1.7V@1.0A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0722
35515
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@15V,稳压值(范围):19V~21V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.055
9969
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@4V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.072
106330
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
FOSAN(富信)
SMA
¥0.06614
114270
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):20uA@100V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.075
16679
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±1.96%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.09291
5980
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-123
¥0.0715
538366
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):5.32V~5.92V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.074
78874
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.07207
12082
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):600mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA
MDD(辰达行)
MBS
¥0.0815
8092
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@800V
MDD(辰达行)
ABS
¥0.0781
39059
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@800V
Nexperia(安世)
TO-236AB
¥0.065142
16460
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.08476
23981
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.1251
4610
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0769
3900
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
FOSAN(富信)
SMA
¥0.0913
98880
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@60V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0899
37734
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
DO-41
¥0.0546
48795
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):2.5uA@1kV
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.09672
75267
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.11
3373
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0965
15026
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V