晶导微电子
SMA
¥0.1006
45820
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@2000V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.134
103654
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
DO-41
¥0.2091
340
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.121735
36012
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Tokmas(托克马斯)
DO-214AA
¥0.1744
5520
正向压降(Vf):630mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.181
28494
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 9.8 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
MSKSEMI(美森科)
DBS
¥0.157795
2020
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
Nexperia(安世)
SOD-523(SC-79)
¥0.1825
11277
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
停产
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.1151
72008
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6.4%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.16454
49887
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:2A
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.2
324551
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.2132
14632
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMAF
¥0.22
3722
正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@40V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2802
23145
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):5uA@5.2V,稳压值(范围):6.12V~7.48V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.21
22002
稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):17.1V~18.9V,阻抗(Zzt):20Ω
晶导微电子
SMA
¥0.2466
15800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
ST(意法半导体)
0201
¥0.165
23523
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):310 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SC-70-6(SOT-363)
¥0.2537
101669
二极管配置:2 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.3016
765
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.246
356827
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V,工作温度:150°C,安装类型:表面贴装型
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.3099
6279
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):980 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.273
50206
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):640 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.296
29358
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.285
6017
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.205
14789
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.264
22272
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMB
¥0.36366
1765
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.412
22102
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.3651
98362
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMAF(DO-214AD)
¥0.29016
3212
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥0.4815
67342
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.6666
990
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.4848
108029
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):100 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):250 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 76 V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.4888
66783
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-214AC,SMA
¥0.487773
50951
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):26 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 22.8 V
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.5817
40708
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-277
¥0.4992
9713
正向压降(Vf):800mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@100V
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.75
13980
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2
¥0.5242
17642
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):830mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥0.646
16287
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@5A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:5A
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.686
58441
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
TTF
¥0.7537
3070
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.787455
2296
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):760mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.78936
5076
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-277B
¥1.17
5426
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):470mV@20A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
VISHAY(威世)
SOD-57
¥1.0844
13280
二极管类型:雪崩,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3.4 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥1.56
25788
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):7A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 7 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
Nexperia(安世)
CFP-15
¥1.45516
29447
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Littelfuse(美国力特)
TO-247-2
¥11.53
349
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):52A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.55 V @ 60 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SMAF
¥0.0142
42779
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A