TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.03709
26442
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6.0V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
华轩阳
SOT-23
¥0.0371
15020
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.0323
7300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0435
61850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):5V~5.2V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.04212
30126
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.0424
25640
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.046
14420
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA@1.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.044
2000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.04638
21018
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
MBF
¥0.0424
219519
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0304
21792
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-323
¥0.047
34020
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:175mA
FH(风华)
SMA
¥0.0576
466001
正向压降(Vf):1.1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0933
2798
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5.63%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11.2 V
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0493
200731
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0528
124278
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@200V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0485
489383
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0649
73650
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0499
187682
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,稳压值(范围):4V~4.6V,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0703
32646
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA@21V,稳压值(范围):25.65V~28.35V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.05733
448916
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.06916
7980
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@40V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0756
9227
稳压值(标称值):28V,反向电流(Ir):100nA@21V,稳压值(范围):26.6V~29.4V,耗散功率(Pd):500mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0689
30257
正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:30mA,反向电流(Ir):500nA@30V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.061401
109756
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
181900
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.8V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.05708
217090
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 4 V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
98635
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA@4V,稳压值(范围):6.46V~7.18V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.11015
5862
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±2.06%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 25 V
FOSAN(富信)
SMB
¥0.0798
32262
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@60V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.09568
4893
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.099
6200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):14V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):13.72V~14.28V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0848
107754
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.090155
1080
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.0938
2729
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):400 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.0786
8490
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.0968
44139
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
晶导微电子
SMBF
¥0.099
29979
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0949
221072
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1004
66349
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±7%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.10712
17011
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.115615
2820
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.11088
3360
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.75V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.1039
82540
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0931
15220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):5V~5.2V
UMW(友台半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.12
3528
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@60V
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.11704
2490
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.114
52231
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
DIODES(美台)
SOD-323F
¥0.122
42375
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):21.18 V,容差:±2.53%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:70 nA @ 19.6 V
ST(先科)
LL-41
¥0.1131
16851
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):5uA@12.2V,耗散功率(Pd):1W