RUILON(瑞隆源)
SMA
¥0.1069
7496
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
VISHAY(威世)
MicroMELF
¥0.08246
144452
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-204AL
¥0.2371
3205
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.10026
23500
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 8 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.109098
115463
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 7 V
FUXINSEMI(富芯森美)
MELF(DO-213AB)
¥0.12375
25600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.108
4955
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.10024
6520
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):1uA@23V,稳压值(范围):28.2V~32V
TECH PUBLIC(台舟)
SMA(DO-214AC)
¥0.13936
41779
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
SMC(桑德斯)
SOD-123FL
¥0.1389
11646
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DFN1006-2
¥0.141904
430457
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.2437
2789
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMBF
¥0.1485
91942
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
晶导微电子
SMC
¥0.1485
258574
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
CJ(江苏长电/长晶)
0201
¥0.0913
19610
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:30mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.1537
6100
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363-6
¥0.156
60656
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.17442
8650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):380mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.18
530852
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.223
209594
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.20488
6170
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
TOSHIBA(东芝)
SOD-323
¥0.2653
3508
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.2757
3735
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:10A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.2449
25304
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.199
29425
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@60V
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.285
77767
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
MBS
¥0.3307
8199
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
晶导微电子
SMBF
¥0.33
144252
正向压降(Vf):600mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@100V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.302
226277
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):875 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.367436
31108
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JUXING(钜兴)
TO-252
¥0.434435
13825
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.431
21024
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252
¥0.4704
3203
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SMA
¥0.478
102969
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):4.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 8 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.56
76231
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 13.7 V
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.6042
14087
正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@100V
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.7504
25155
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):680mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.6611
43090
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
0603
¥1.33
5393
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-220-2
¥2.2
61838
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-277-3
¥3.78
6008
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-220AC-2
¥5.5276
72460
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3.2 V @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
最后售卖
onsemi(安森美)
TO-247-2
¥7.65
11418
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3.2 V @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.019584
4250
稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):100nA@6.2V,稳压值(范围):7.7V~8.7V,耗散功率(Pd):500mW
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
¥0.023465
138050
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0267
1300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):6.4V~7.2V
晶导微电子
SOD-323
¥0.0264
2217950
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:250mA
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.02968
272147
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0322
189546
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03195
21060
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):20uA@1.0V,稳压值(范围):2.5V~2.9V