MSKSEMI(美森科)
DO-214AC(SMA)
¥0.01872
15081
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.02
303701
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
CBI(创基)
SOT-23
¥0.0209
44807
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:215mA
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0226
179431
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA@8.2V,稳压值(范围):10.4V~11.6V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.0253
19727
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0247
210
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~21.2V
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0278
301840
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0339
683975
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.03536
203857
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
FOSAN(富信)
SMA
¥0.03359
71684
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@40V
华轩阳
SOD-123FL
¥0.041385
6200
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.0333
16846
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
SHIKUES(时科)
SOT-23
¥0.04056
35246
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
DOWO(东沃)
MBF
¥0.03796
15506
直流反向耐压(Vr):1kV,工作结温范围:-55℃~+150℃
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.04118
1825575
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):400mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0446
10420
正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.045
253822
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
ST(先科)
SOD-323
¥0.0463
163035
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):500nA@4V,稳压值(范围):7V~7.9V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0459
34800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.2V~6V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0454
1022937
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):4.4V~5V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0479
435874
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,稳压值(范围):5.8V~6.6V,耗散功率(Pd):300mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.07134
16491
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.04732
335633
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):22.8V~25.6V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.0549
10830
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SMAF(DO-214AD)
¥0.0449
31710
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0567
8450
正向压降(Vf):850mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@60V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0584
166325
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.065
175675
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 18.9 V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0576
2007858
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0627
682430
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
Nexperia(安世)
SOT-323(SC-70)
¥0.0507
90593
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0823
14338
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):19V,反向电流(Ir):50nA@14.4V,稳压值(范围):18.05V~19.95V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.0848
10360
正向压降(Vf):1.3V@1.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
172414
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0624
47502
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9.0V,稳压值(范围):11.74V~12.24V
CBI(创基)
SOT-363
¥0.0699
33901
二极管配置:2对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:250mA
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0755
15666
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.075166
168097
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
95100
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):5uA@8V,稳压值(范围):10.4V~11.6V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
36123
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):7.79V~8.67V
BLUE ROCKET(蓝箭)
SMA
¥0.07342
34134
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.083259
61686
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
ST(先科)
DO-41
¥0.0885
4860
直流反向耐压(Vr):600V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.0941
8863
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 14 V
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.1034
42935
正向压降(Vf):980mV@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
WILLSEMI(韦尔)
SOD-123
¥0.094
262782
正向压降(Vf):570mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@40V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0657
59570
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.06687
14934
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
SMB
¥0.106875
3310
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.1051
52782
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V