GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.119035
16468
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.111
218682
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 9.1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.127
19681
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.121
178101
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):350uA@60V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.121
21494
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.13
10402
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
UMW(友台半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1317
7948
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.139365
18240
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
ST(先科)
LL-41
¥0.129
17197
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):10uA@7V,耗散功率(Pd):1W
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.1375
21024
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
Prisemi(芯导)
SOD-123FL
¥0.14456
33987
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.12
13981
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):17 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.9 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.143
13887
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@60V
ST(先科)
SMA
¥0.145
0
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.139
20837
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(意法半导体)
SOT-23-3L
¥0.138
411782
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.1714
19940
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):960 mV @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.14688
1406
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
Tokmas(托克马斯)
DO-214AB
¥0.1682
8530
正向压降(Vf):630mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):30uA@60V
SUNMATE(森美特)
SMC
¥0.198
29617
正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.177
30191
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Tokmas(托克马斯)
SMB
¥0.1792
5000
正向压降(Vf):390mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):220uA@40V
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.1768
39293
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.18
342292
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.199
10609
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB
¥0.2184
13434
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.23392
12865
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):840mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.232
2449
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMC(DO-214AB)
¥0.22959
7900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.258311
24384
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 200 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.18
24150
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
LGE(鲁光)
R-6
¥0.294
38795
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.278
13335
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):525 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.4
10009
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
SMA(DO-214AC)
¥0.4346
6165
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+125℃
MDD(辰达行)
MBF
¥0.4805
7165
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.351846
102714
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):12 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 13.7 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.44
40279
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 20.6 V
MDD(辰达行)
GBU
¥0.58744
3801
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.624
6096
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
GBU
¥0.6391
10508
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@600V
晶导微电子
ULBF
¥0.66
20757
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1000V
DIODES(美台)
POWERDI®123
¥0.88
27472
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
DO-214AB(SMC)
¥0.9224
950
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SC-70,SOT-323
¥1.09
131153
二极管类型:肖特基 - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):4V,电流 - 最大值:110 mA,不同 Vr、F 时电容:0.35pF @ 0V,1MHz,功率耗散(最大值):100 mW
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.54912
4679
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7.14%,功率 - 最大值:1.25 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
YANGJIE(扬杰)
TO-263
¥1.2
12540
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥1.93
3598
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):50 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 25 A
onsemi(安森美)
TO-277-3
¥3.7719
6970
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):440 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-247
¥4.4
1966
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:60A