LGE(鲁光)
DO-15
¥0.361095
4745
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):2uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
DIODES(美台)
SMA
¥0.5074
14110
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 7.6 V
DIODES(美台)
SMB
¥0.46246
6634
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMC
¥0.473575
9510
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
PANJIT(强茂)
SMB(DO-214AA)
¥0.5044
7906
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.4783
2285
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):395mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.494
12223
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.56888
80734
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.5225
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):1uA,耗散功率(Pd):5W
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.708
23499
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.484
15856
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):60 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 45.5 V
MDD(辰达行)
GBU
¥1.06
33616
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
TO-263
¥1.5912
5036
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.6V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:20A
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥2.7048
153
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):400uA@100V
MSKSEMI(美森科)
SMAF
¥0.01612
22673
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Hottech(合科泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.0182
65420
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Hottech(合科泰)
SOD-323
¥0.0233
1046384
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0539
247681
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):31V~35V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.02946
7350
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.85V~5.36V,耗散功率(Pd):500mW
Slkor(萨科微)
SOD-323
¥0.04857
6458
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:300mA
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-523
¥0.0371
19192
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0374
33920
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.03861
7000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.0393
61620
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
Hottech(合科泰)
MBF
¥0.04036
53334
正向压降(Vf):1V@0.8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.03825
1900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOD-123
¥0.0512
24700
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.074
858
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.03619
10746
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0756
31474
稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@11.2V,稳压值(范围):15.68V~16.32V,耗散功率(Pd):500mW
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.05
25680
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.04784
226711
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.2V~6V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.05346
12600
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6.06%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0488
259760
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):200nA@50V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123FL
¥0.058
64284
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0542
23840
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.0564
18476
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):4.5uA@1V,稳压值(范围):3.23V~3.37V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.06167
10846
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±1.96%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.06812
12588
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:30mA
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0714
21438
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):17 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 13 V
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.0636
5440
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@50V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.062
38539
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
LL-34
¥0.0708
3260
直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:50mA,反向电流(Ir):50uA@10V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):500mA
晶导微电子
SMA
¥0.0792
60223
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):1uA@76V,稳压值(范围):95V~105V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.088
78610
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0961
164955
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 8 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.107
8994
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:370 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
YANGJIE(扬杰)
DO-41
¥0.10088
17288
正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@20V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.10334
661638
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.106
68203
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 µA @ 1 V