BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0533
19614
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):14.7V~15.3V,耗散功率(Pd):200mW
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0499
388393
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,稳压值(范围):9.4V~10.6V,耗散功率(Pd):200mW
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.05022
17944
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@2.0V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
晶导微电子
MBS
¥0.0484
1259734
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0551
95145
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA@5V,稳压值(范围):7.7V~8.7V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0525
6200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
Hottech(合科泰)
ABS
¥0.05743
28952
正向压降(Vf):1.1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1000V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0533
215164
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):3.7V~4.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0752
8784
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):20uA,稳压值(范围):2.5V~2.9V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.0615
3540
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0756
53342
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):25uA,稳压值(范围):3.14V~3.47V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.06677
179366
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
24853
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):4.84V~5.36V
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.0735
15128
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.07696
33292
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.079
17904
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):29 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 17 V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
178754
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):5uA@17V,稳压值(范围):20.8V~23.3V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
33288
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):10uA@7V,稳压值(范围):8.6V~9.59V
MDD(辰达行)
DO-15
¥0.0824
32608
正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0801
29737
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
DO-214AC(SMA)
¥0.089015
3940
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):5.32V~5.92V
ST(先科)
DO-41
¥0.0863
15621
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,耗散功率(Pd):1W
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.08077
84411
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.102
243957
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.0487
3797
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.076
71480
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
Digi-Key 停止提供
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.0983
21746
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0979
8893
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):26 V,容差:±2.5%,功率 - 最大值:310 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 21 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.1092
28225
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 16.8 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1092
17367
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.132
14020
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.1508
10262
正向压降(Vf):370mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):80uA@40V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.1397
22838
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:150 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 9.1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
Comchip(典琦)
0402
¥0.1449
14030
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.212
4604
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
DIODES(美台)
SOT-323-3
¥0.14411
61332
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1716
25662
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):400mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.1749
7890
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.176
6912
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:10A
MDD(辰达行)
DB
¥0.1781
12332
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.2035
135246
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):14Ω
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.231
136916
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.2028
20858
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-27
¥0.27621
4395
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2629
1485
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.29898
16283
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):75uA@1.0V,稳压值(范围):3.24V~3.96V
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.47
7565
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.302955
4130
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.28V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.31488
42313
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.331075
3255
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA@11.5V,稳压值(范围):14.25V~15.75V