SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.147
8882
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):30V,反向电流(Ir):10nA,二极管电容(CT):46pF
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.153
6727
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):68 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):230 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 52 V
LRC(乐山无线电)
DO-214AC
¥0.1559
55131
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):11.4uA,稳压值(范围):14.25V~15.75V,耗散功率(Pd):1W
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.157
27291
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):13 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.16497
1900
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@150V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.181
59376
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6.1%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
JUXING(钜兴)
DO-27
¥0.186105
3330
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
BORN(伯恩半导体)
DO-214AA
¥0.195
6783
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):50uA@60V
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.19
37824
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.21632
89450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.2078
7900
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
JUXING(钜兴)
KBP
¥0.25536
4810
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.3097
5157
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.236
6723
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.23607
3125
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.1647
21958
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.24544
40197
正向压降(Vf):920mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):3uA
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.2915
12204
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
DIODES(美台)
插件
¥0.30885
2500
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.33056
67445
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.3448
6060
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.379
3803
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):360 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.42528
31819
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.28V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A
onsemi(安森美)
SMB
¥0.475398
10658
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 18.2 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.49
93173
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):7.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.45
19843
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 4 V
MSKSEMI(美森科)
TO-252
¥0.56304
145
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):560mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
LGE(鲁光)
TO-252
¥0.63459
1976
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
MDD(辰达行)
TO-220AB-3
¥0.8862
137
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):550mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:30A
Infineon(英飞凌)
SOT-143
¥0.92
51357
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 200 mA
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.832
40483
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI-5
¥1.58
23501
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 15 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-214AB(SMC)
¥1.1088
4342
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@60V
晶导微电子
SMA
¥0.0237
457365
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.030875
42258
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
BLUE ROCKET(蓝箭)
DO-214AD
¥0.02184
136281
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SMA(DO-214AC)
¥0.03249
39651
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03416
13770
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.03648
6850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.2V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.02289
10800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA@23.1V,稳压值(范围):31V~35V
Hottech(合科泰)
DO-214AC(SMA)
¥0.041325
25078
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
MBS
¥0.038984
429602
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0416
60599
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0414
3650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.03682
68543
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.04845
36979
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
ST(先科)
SOD-123
¥0.04524
274068
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):7V~7.9V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0776
8875
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA@23.1V,稳压值(范围):31V~35V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.06094
24508
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0592
26157
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):10.4V~11.6V