晶导微电子
SOD-123F
¥0.0237
376541
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.03328
116860
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(先科)
SOT-23
¥0.03432
150101
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:215mA
FOSAN(富信)
SOD-123
¥0.0353
32450
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@20V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0372
12640
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0399
124212
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0412
19238
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):25.1V~28.9V
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.0424
5450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.0364
30274
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0495
59095
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA@50V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0603
91486
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@21V,稳压值(范围):28V~32V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0461
527091
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):3.7V~4.1V
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.04978
8450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):500nA@1.0V,稳压值(范围):4.4V~5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.04648
12413
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):7V~7.9V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.04554
334585
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,稳压值(范围):4.4V~5V,耗散功率(Pd):500mW
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0502
1626125
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):50nA@25.2V,稳压值(范围):34V~38V
LRC(乐山无线电)
SOD-882
¥0.0519
305603
正向压降(Vf):350mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):30uA
晶导微电子
SOD-123
¥0.052
14740
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.5V,稳压值(范围):5.49V~5.71V,耗散功率(Pd):500mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0592
8073
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):25.1V~28.9V
SHIKUES(时科)
SOD-523
¥0.054245
6145
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.046325
41770
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.05061
303247
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
LRC(乐山无线电)
DO-41
¥0.058
5532
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A,工作结温范围:-50℃~+125℃
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.05271
35740
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.05429
12834
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.06593
8700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0781
21922
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):22.8V~25.2V
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.06384
920
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.04705
40800
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.068
36812
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.076475
5160
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.06313
51792
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6.0V,稳压值(范围):8.85V~9.23V
ST(先科)
DO-41
¥0.0693
51761
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.84V~5.36V,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.07072
175562
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
不适用于新设计
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.0747
9604
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.07957
175657
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.08512
19614
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOD-882D
¥0.057036
77279
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0941
287141
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.084
244835
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.08838
12470
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0942
65015
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.09729
18740
正向压降(Vf):950mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@200V
MDD(辰达行)
SMBF
¥0.1622
8119
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.1
86282
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.1156
3800
正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):200nA
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1265
26543
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):8.6V~9.59V
MDD(辰达行)
DO-214AA(SMB)
¥0.13139
48962
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@3.0A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.13467
171449
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
DFN1006-2L
¥0.0603
29381
正向压降(Vf):610mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):40uA@40V