DIODES(美台)
SOD-123
¥0.088
45889
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.0888
133683
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.108
44200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.11
24492
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
Tokmas(托克马斯)
SOD-123FL
¥0.1121
5670
正向压降(Vf):400mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):1mA@30V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.1144
24150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.132
42450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9.1V,耗散功率(Pd):2W
MSKSEMI(美森科)
0201
¥0.118
38865
正向压降(Vf):620mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):700nA@30V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.27664
39724
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.07238
10912
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.85 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.144
39450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.145
12571
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
Tokmas(托克马斯)
SMB
¥0.1488
5070
正向压降(Vf):600mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):1mA@40V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1396
106345
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-143
¥0.15
491288
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.188
25960
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.194
230271
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.14664
21312
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
Slkor(萨科微)
SMB
¥0.1602
6238
稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):1uA,耗散功率(Pd):5W,阻抗(Zzt):2.5Ω
DIODES(美台)
SMA
¥0.193205
68648
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-882(DFN1006-2)
¥0.135606
17520
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOT-143
¥0.194139
91396
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.2862
4387
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):400mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.21
60461
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SMC
¥0.237
19515
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.25578
6780
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):6.46V~7.14V
SMC(桑德斯)
DO-214AC,SMA
¥0.2483
4853
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.223
77540
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):540 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SC-76(SOD-323)
¥0.195
21103
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.24
13935
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 9.1 V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.28364
127244
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@2.0V,稳压值(范围):4.84V~5.36V
DIODES(美台)
SMA
¥0.3135
43806
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 12.2 V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.3014
27587
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 100 mA
ST(意法半导体)
SMA
¥0.44
48342
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.49
29757
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 22.8 V
晶导微电子
TO-252-2
¥0.462
24700
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A
JUXING(钜兴)
ITO-220AB
¥0.57456
1185
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-252-2
¥0.43056
2729
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):470mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.572
2492
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB,SMC
¥0.6378
322039
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIOTEC(德欧泰克)
SMA(DO-214AC)
¥0.7535
13796
正向压降(Vf):1.8V@2A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1600V
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.75
126828
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.8
5003
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):525 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥1.61
22454
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):670mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:15A
LGE(鲁光)
SMB
¥1.152
5947
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):150uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V
MDD(辰达行)
GBJ
¥1.80298
5588
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@1kV
PANJIT(强茂)
TO-277B
¥1.092
16421
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
KBPC-25
¥3.03
1993
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@1kV
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.0306
11820
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):11.4V~12.7V,耗散功率(Pd):500mW
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.01335
23538
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A