SMC(桑德斯)
SOD-123
¥0.0687
0
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.07166
15224
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11.4V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):14Ω
晶导微电子
SMAF
¥0.07259
225414
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):15.2V~17.1V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
734038
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.2V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.085
43912
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.0806
36841
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Prisemi(芯导)
SOD-123FL
¥0.10712
22850
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,工作结温范围:-55℃~+150℃@(Tj)
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.1472
6880
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JUXING(钜兴)
DO-214AC(SMA)
¥0.12274
5750
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
JUXING(钜兴)
SMC
¥0.12896
68801
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
晶导微电子
SMB
¥0.131
826769
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@60V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.146
46428
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1538
22479
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):385 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-882
¥0.1264
54633
正向压降(Vf):240mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.18414
29220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):6.5V~7.1V
VISHAY(威世)
MicroSMP
¥0.185
35276
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.2217
123857
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):540 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-323HE
¥0.6292
14155
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.2442
4122
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):14 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 11.4 V
MCC(美微科)
DO-214AC(SMA)
¥0.242
37045
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SOD-923F
¥0.1595
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):300 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.2849
15675
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-221AC
¥0.262248
12014
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
TO-269AA,4-BESOP
¥0.10712
8764
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
晶导微电子
MBS
¥0.308
16436
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
DIODES(美台)
SOPA-4
¥0.299
34454
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.421
7516
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.3453
4555
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 9.1 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.35721
11040
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):520mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
TO-269AA
¥0.556
985679
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.642
10670
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 3 V
YANGJIE(扬杰)
TO-277
¥0.78
8947
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@100V
VISHAY(威世)
SOD-57
¥0.91
1146848
二极管类型:雪崩,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3.4 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
TO-277
¥1.2
1334
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):440 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
BR-8
¥1.23
905
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
GBJ
¥2.31
14172
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.0211
16147
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.02246
117326
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):100nA@3V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03195
26325
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
华轩阳
SOD-323
¥0.0346
17473
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
华轩阳
SOD-123
¥0.043989
22650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
ST(先科)
SOD-123
¥0.0473
125705
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.0452
29428
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):100nA@2.0V,稳压值(范围):5.7V~6.3V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0476
56410
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.06209
39735
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.066785
3360
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2.5A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.05287
170796
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
DOWO(东沃)
DO-214AC(SMA)
¥0.0681
48255
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@1A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0932
355734
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@700mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.0834
16581
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)