UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.03827
21222
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.037
1553586
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.0371
596818
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.04077
58990
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2.0V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0431
49436
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.23V~3.37V
晶导微电子
MBS
¥0.0484
813010
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1000V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123FL
¥0.0505
94654
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0542
226265
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):14V,反向电流(Ir):100nA@10V,稳压值(范围):13.3V~14.7V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.05449
36145
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0515
244295
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
晶导微电子
SOD-123F
¥0.058
341376
正向压降(Vf):900mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0559
43735
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA@3.0V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0686
40168
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):9A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.094
120490
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-923
¥0.0823
18603
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):400mV@20mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0869
32609
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.08226
119248
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.104954
1660
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):400 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.08
259185
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.0924
143504
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.088
22432
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0793
428704
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.096228
18319
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.07655
88144
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.0984
90733
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOT-523-3
¥0.1177
163175
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
Slkor(萨科微)
SOD-123FL
¥0.0966
12844
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):490mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.16444
2401
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.12272
191298
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.144
29429
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.205
144480
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.22
29614
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123
¥0.278
29759
正向压降(Vf):480mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A,反向电流(Ir):50uA@30V
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.3019
12977
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.26
66380
正向压降(Vf):850mV@50A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@100V
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.27969
17252
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):410mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
不适用于新设计
onsemi(安森美)
DO-214AC,SMA
¥0.301
316906
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DSN1006-2(SOD993)
¥0.323204
9134
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):625 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.35
47042
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
MBF
¥0.39
4631
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 800 mA
onsemi(安森美)
SMA
¥0.375
92710
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):3 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 6 V
平晶
SOD-123W
¥0.0308
5200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-41
¥0.0526
1250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0572
29038
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):7V~7.9V
停产
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.0447
23
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
KEC(开益禧)
USC(SOD-323)
¥0.0495
20415
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):20uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):200mW
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0499
109849
正向压降(Vf):360mV,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):100uA
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.046
267224
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@15V,稳压值(范围):19V~21V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0772
32352
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.07238
22516
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度