SMC(桑德斯)
SMA(DO-214AC)
¥0.2392
9595
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 60 V
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.228
4688
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.25228
8110
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SMA
¥0.45
116043
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 18.2 V
onsemi(安森美)
0402
¥0.59297
39582
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMB
¥0.756
75296
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB
¥0.92223
2920
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.7V~6.3V
BORN(伯恩半导体)
GBJ
¥1.49
5434
正向压降(Vf):1.05V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA@1000V
最后售卖
onsemi(安森美)
TO-247-2
¥7.23
1780
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):75A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3.2 V @ 75 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.0325
96118
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):350mW
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.0233
39335
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SOD-523
¥0.0279
460785
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):150mW
Hottech(合科泰)
DO-214AC(SMA)
¥0.028785
4009
正向压降(Vf):1.7V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
MDD(辰达行)
SMA
¥0.0308
124638
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.031875
4700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.03432
13749
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@400V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0363
267732
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@19V,稳压值(范围):22.8V~25.2V
ElecSuper(静芯)
SOD-323
¥0.0417
48327
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.05054
223878
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.05346
12250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06032
4319
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@2V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0781
29766
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):14V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.3V~14.7V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0704
86900
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:200mA
晶导微电子
SMA
¥0.0792
711040
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):3.7V~4.1V
晶导微电子
SMA
¥0.07862
188355
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0861
17578
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.08802
15370
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.095
549831
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):140mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 50 mA
Nexperia(安世)
SC-76,SOD-323
¥0.112
73756
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
晶导微电子
SMAF
¥0.114
757904
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@40V
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.13312
34852
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.13
292656
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.17102
15700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):530mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.1412
35575
正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):30mA
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.1556
41676
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.1815
6778
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMA
¥0.2238
28118
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.217
46687
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.59V~5.61V
MDD(辰达行)
SMBF
¥0.34162
4500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.35152
16563
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):400mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):310 mV @ 100 mA
ST(意法半导体)
DO-201AD
¥0.5283
3177
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):525 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.4268
1797
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 40 V
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.4368
34042
正向压降(Vf):920mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@100V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.346
200679
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):700mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 700 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.709
102764
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥0.664
58245
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):15 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
KBU
¥0.8997
12368
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@1kV
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0211
18442
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):4.4V~5V
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.03192
10310
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
SUNMATE(森美特)
SMA(DO-214AC)
¥0.042
128268
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA