LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.231
28746
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
晶导微电子
SMC
¥0.176
177829
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.205
136212
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.2544
1760
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.27664
60881
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
MCC(美微科)
DO-214AA(SMB)
¥0.2912
18351
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.294
79711
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SMA
¥0.368
207040
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2
¥0.55536
17832
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):590mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
onsemi(安森美)
SMB
¥0.499851
63830
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.9 V
DIODES(美台)
TO-252
¥1.5929
372
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SMA
¥0.0198
10550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V,直流反向耐压(Vr):1kV
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.02288
16083
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):4uA,稳压值(范围):2.8V~3.2V
FOSAN(富信)
SOD-523
¥0.0249
86247
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:125mA,耗散功率(Pd):150mW
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0304
26860
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.5V@300mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.03338
325250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):500nA@3.5V,稳压值(范围):6.46V~7.14V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0581
54672
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
晶导微电子
SMAF
¥0.0385
201895
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@60V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0459
327974
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.5V,稳压值(范围):5.2V~6V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.04711
113486
正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,反向电流(Ir):2uA@75V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.045235
27650
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.23V~3.37V
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.045
1269810
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@100V
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.03962
7972
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.06764
6194
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.04503
128108
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0592
21410
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@14.0V,稳压值(范围):18.8V~21.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.06157
11991
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
Nexperia(安世)
SOT-323(SC-70)
¥0.0595
386125
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0575
65123
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.06
133704
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
DFN1006-2
¥0.061
231420
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0636
10540
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.18V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0761
37178
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):12.35V~13.65V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0631
193654
稳压值(标称值):25V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):23.75V~26.25V,耗散功率(Pd):500mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.079
14892
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:225mA
onsemi(安森美)
SC-75
¥0.07275
102820
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Prisemi(芯导)
SOD-123F
¥0.06219
7564
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
晶导微电子
SMAF
¥0.0802
411694
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.08642
101587
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0907
51630
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.0976
363937
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1
154796
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.4 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.0906
90783
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
MCC(美微科)
MBS
¥0.12
104283
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.106
192287
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 13.6 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
华轩阳
SMB
¥0.12754
4610
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
LGE(鲁光)
SMB
¥0.1269
35985
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
KEXIN(科信)
SMC
¥0.1371
10940
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@60V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.1189
59788
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5.9%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
YFW(佑风微)
DO-206
¥0.2049
2650
正向压降(Vf):30V@10mA,直流反向耐压(Vr):8kV,整流电流:5mA,反向电流(Ir):2uA@8kV