SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.08701
4520
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.071
39923
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0921
189576
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.1092
6934
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BLUE ROCKET(蓝箭)
SMA
¥0.10088
13431
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.1171
83423
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.13728
15274
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.1323
13827
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.2029
20516
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.2271
22900
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SC-76,SOD-323
¥0.16038
37145
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±3%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.248
26177
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMC
¥0.29655
1095
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:5A
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.355
17112
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):395 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.3952
321549
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.42328
22408
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):980 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-220AA
¥0.47008
162192
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB
¥0.666
12231
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):500nA@19.4V,稳压值(范围):25.65V~28.35V
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.6958
78613
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):4.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 4.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥1.4
16649
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):470mV@20A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
onsemi(安森美)
TO-277-3
¥2.4057
229
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SOT-23
¥0.0242
1492260
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
华轩阳
SOD-123
¥0.033535
34200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):1.6uA@4V,稳压值(范围):6.46V~7.14V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.0322
324769
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.04105
47447
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):28V~32V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.03983
92220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):4.4V~5V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.03411
174063
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
SOD-123
¥0.04618
159433
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):500nA@5V,稳压值(范围):7.7V~8.7V
ST(先科)
SOD-323
¥0.0444
113688
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0453
556241
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
ST(先科)
SOT-23
¥0.0572
11244
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.0551
53076
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.047
512133
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):4.85V~5.36V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0649
129654
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0702
167874
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.49V~5.71V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.0551
503377
稳压值(标称值):10V,稳压值(范围):9.4V~10.6V,耗散功率(Pd):200mW,工作结温范围:-65℃~+150℃
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0599
12461
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0735
30104
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):400 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMA
¥0.0792
47400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):10uA@5V,稳压值(范围):7.12V~7.88V
晶导微电子
SMAF
¥0.08039
414006
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@60V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.084
45487
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
晶导微电子
SMB
¥0.095
1051092
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0855
402764
正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@200V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.078507
517862
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.1051
50031
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):11 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1072
72435
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):6 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 6 V
MDD(辰达行)
DO-213AB
¥0.11416
102968
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
SMA
¥0.1265
20200
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):1W
MSKSEMI(美森科)
DO-214AC
¥0.127
4545
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,工作结温范围:-55℃~+150℃
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.141
27784
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A