YANGJIE(扬杰)
TO-277
¥0.57824
13269
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥2.08
13078
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 6 A
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0184
840093
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):71V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
晶导微电子
SMA
¥0.0237
972751
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.047
10775
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
晶导微电子
SOD-323
¥0.03224
28248
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0363
291650
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):1uA@3V,稳压值(范围):5.89V~6.51V
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.03769
390220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.04056
16390
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.0389
69535
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):5.8V~6.6V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0295
49131
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
晶导微电子
SMA
¥0.0411
572929
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A
Nexperia(安世)
MiniMELF
¥0.0451
201195
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
JUXING(钜兴)
SOD-123FL
¥0.0499
32641
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.056
314285
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Prisemi(芯导)
SOD-323
¥0.05448
20889
正向压降(Vf):500mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@40V
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.06136
21929
直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:50mA,反向电流(Ir):50uA@10V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):500mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0693
65209
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:15mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.06712
16460
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500nA
晶导微电子
SOD-123F
¥0.06167
663768
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@100V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.07209
20150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0667
848704
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.10816
7802
正向压降(Vf):450mV@300mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:300mA,反向电流(Ir):50uA@20V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.0981
546
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
ST(先科)
DO-41
¥0.1
11323
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18.2V,稳压值(范围):22.8V~25.2V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1118
730206
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BLUE ROCKET(蓝箭)
SMA
¥0.3232
1253
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
ST(意法半导体)
SMB
¥0.4351
52697
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.298287
35625
二极管配置:2 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.435
24089
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.4608
55252
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
ITO-220AB-3
¥0.8074
24250
正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A,反向电流(Ir):200uA@200V
PANJIT(强茂)
TO-277B
¥0.8864
4460
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):440 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
KBPC-25
¥3.98
1145
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@1kV
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.029165
113593
正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.03105
16758
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.032
13950
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA@15.4V,稳压值(范围):20.8V~23.3V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.049569
36453
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
FH(风华)
SOD-323
¥0.0457
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0496
16324
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):7V~7.9V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.048136
24475
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA@1V,稳压值(范围):4V~4.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0485
2762674
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,稳压值(范围):5.2V~6V,耗散功率(Pd):200mW
ST(先科)
LS-31
¥0.06
40917
正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):500mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.051775
21208
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.49V~5.71V,耗散功率(Pd):500mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.06365
28061
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.052
397148
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOD-323
¥0.04753
88247
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
YFW(佑风微)
DO-41
¥0.0611
8843
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0617
128184
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.06542
49497
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,反向电流(Ir):300uA