ST(先科)
DO-41
¥0.0693
50107
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V,耗散功率(Pd):1W
晶导微电子
SOD-123
¥0.0715
739772
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.84V~5.36V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123FL
¥0.07389
94875
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-523
¥0.088
83922
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:75mA
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0765
183096
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.08226
71824
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 9 V
Nexperia(安世)
SC-70,SOT-323
¥0.0904
155779
二极管配置:1 对串行连接,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):410 mV @ 1 mA
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.092
256893
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.105
372640
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
晶导微电子
SMAF
¥0.121
295234
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@100V
GOODWORK(固得沃克)
DBS
¥0.141355
10260
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.136
67545
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.1715
50652
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.18836
58982
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.209
179
正向压降(Vf):1.2V@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@100V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.20592
7355
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.254
124434
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SMA
¥0.31
48458
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
UMSB
¥0.3631
26773
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
ST(意法半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.4992
29670
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.34528
13215
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2
¥0.57824
17767
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):860mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.499
2420
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):22.8V~25.2V
TWGMC(台湾迪嘉)
TO-277
¥0.534
41845
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
晶导微电子
ABS
¥0.564
13565
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@100V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.8514
25561
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2
¥0.505
7307
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):840mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
MDD(辰达行)
KBU
¥0.95472
6697
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@800V
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.02432
82644
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
晶导微电子
SOD-323
¥0.03255
35571
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.5V,稳压值(范围):5.2V~6V
晶导微电子
SMA
¥0.0418
2263712
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
KEXIN(科信)
SOD-323
¥0.0544
4450
正向压降(Vf):750mV@3.1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):25A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0649
132023
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.062985
15033
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
280459
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
485938
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.5V~4.93V
华轩阳
SOT-363
¥0.091
12173
二极管配置:2对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:150mA
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.1225
26432
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.162
6272
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:2A
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.2024
9826
正向压降(Vf):1.2V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@400V
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.231
33348
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
YBS
¥0.28
14867
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A
DIODES(美台)
SMA
¥0.32
25760
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 1 V
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.365
7594
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1000V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.3432
359852
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.398762
13764
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.42595
71229
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):875 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.599
19300
二极管类型:雪崩,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
TTF
¥0.8586
30728
正向压降(Vf):950mV@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):150nA@1kV
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥0.772
132586
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.28 V @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)