Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.575
84043
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.845955
13749
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):475 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FOSAN(富信)
SOD-123FL
¥0.01414
95562
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
KUU(永裕泰)
SMA
¥0.01924
394259
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
德昌电子
DO-35
¥0.02596
16460
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.033
11200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):4V~4.6V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.02703
21050
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0334
327599
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.04462
101123
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.04961
19769
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0683
24264
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):4V~4.6V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.104
356785
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-723
¥0.058
108542
正向压降(Vf):450mV@10mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):500nA@10V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.07602
21478
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.2V~6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0646
24096
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):800nA@1V,稳压值(范围):2.85V~3.15V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0787
146503
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,耗散功率(Pd):200mW
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.0622
458362
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0864
125462
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-523
¥0.0875
51000
正向压降(Vf):610mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):40uA@40V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.091
105074
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):11 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
ZHIDE(志得)
SOD-123
¥0.103835
1280
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.112
19668
正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.1077
139534
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.106
178418
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.11024
77739
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 3 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA,工作温度:-55°C ~ 150°C
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1265
11100
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.18408
42293
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.2318
3190
正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@40V
LGE(鲁光)
DO-41G
¥0.191
13606
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
ST(意法半导体)
SOD-323
¥0.22
19065
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.26
80737
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SC-76,SOD-323
¥0.2739
45574
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):5V,电流 - 最大值:30 mA,不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0.2V,1MHz,工作温度:125°C(TJ)
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.3749
7399
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@60V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.432
68642
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
MSKSEMI(美森科)
TO-277
¥0.72
28535
正向压降(Vf):520mV@20A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A,反向电流(Ir):300uA@45V
ZHIDE(志得)
DO214AA(SMB)
¥0.78
4635
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2V,稳压值(范围):5.32V~5.88V,耗散功率(Pd):5W
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.02106
18841
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0244
246708
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.02774
98618
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
UMW(友台半导体)
SOT-23-3
¥0.02922
23644
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03472
13400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4.0V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0343
304100
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.038
14126
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.049476
10754
正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@200V
ST(先科)
SOD-523
¥0.0633
6894
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.04878
53847
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.07091
488326
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.0625
56007
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.06849
1092979
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0771
248932
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):14.7V~15.3V