YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.048
199369
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.0445
31222
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA@1.0V,稳压值(范围):5V~5.2V
德昌电子
LL-34
¥0.0585
7500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):200nA@13V,耗散功率(Pd):500mW
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0499
717822
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA
晶导微电子
SMA
¥0.0625
192853
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@20V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.066976
197500
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:50mA,反向电流(Ir):50uA@10V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.062
499970
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):250V,耗散功率(Pd):225mW
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0573
82497
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 23.1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0883
21623
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):550mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.0794
363543
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.11
584662
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):350uA@40V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.11985
11948
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.144
20201
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.1467
8990
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Slkor(萨科微)
TO-277
¥0.325
34227
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.445
31998
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:10A
MCC(美微科)
TO-277-3
¥1.36
3725
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0181
711063
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.0315
50670
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123F
¥0.024
26881
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.0396
109809
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
晶导微电子
SOD-323
¥0.044
264220
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0509
5378
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0478
5485
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.049305
47242
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA@50V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07296
6240
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):10.4V~11.6V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.07656
11960
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.04384
28054
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):25.1V~28.9V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.0605
113183
正向压降(Vf):1.7V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.07966
13438
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:200mA
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.06209
1321107
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,工作结温范围:-55℃~+125℃
VISHAY(威世)
QuadroMELF
¥0.0643
1067996
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
98396
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.0716
405739
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0839
73172
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.09269
86070
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-882
¥0.110095
365408
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.095
436282
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
BORN(伯恩半导体)
SOT-363
¥0.106
49293
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.1078
179413
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-523-3
¥0.1073
331770
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1122
375845
正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@20V
ST(意法半导体)
SOT-23-3L
¥0.144
10371
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.138
472592
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 250 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.156
344899
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.18886
28833
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.217
16238
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
UMSB
¥0.2646
11140
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.2739
9945
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.337
75448
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+150℃