BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0476
47025
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):500nA@0.1V,稳压值(范围):31V~35V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0775
6178
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):28V~32V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0488
75607
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07619
19666
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):8.5V~9.6V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.06656
23898
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):7Ω
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.07987
122998
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
MDD(辰达行)
SMB
¥0.06892
109257
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@2.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
JUXING(钜兴)
DO-214AC(SMA)
¥0.07562
4880
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOT-323-3
¥0.08166
222636
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.107712
114712
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):33 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 18 V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.1147
11820
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.1263
31803
二极管配置:2对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:150mA
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.182
1976680
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.1822
7750
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
LRC(乐山无线电)
SMB-FL
¥0.211
25505
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.47
849
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
KBL
¥0.6061
8864
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@600V
LGE(鲁光)
TO-277
¥1.508
11669
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):790mV@15A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:15A
晶导微电子
SMA
¥0.02184
423766
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0218
21848
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):7V~7.9V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.023868
15500
稳压值(标称值):2V,反向电流(Ir):100uA,稳压值(范围):1.8V~2.15V,耗散功率(Pd):500mW
GOODWORK(固得沃克)
MBS
¥0.04032
17707
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.0494
38816
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
华轩阳
MBF
¥0.0437
45400
正向压降(Vf):1.1V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YFW(佑风微)
SOD-323
¥0.0475
19052
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):715mV@1mA;1.25V@150mA;1V@50mA;885mV@10mA,直流反向耐压(Vr):140V,整流电流:300mA
晶导微电子
SMB
¥0.05439
288160
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
VISHAY(威世)
DO-35
¥0.0617
299312
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.088
127213
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0899
64851
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.098
56977
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.0608
97185
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.2464
17488
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.13
31208
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
WILLSEMI(韦尔)
FBP1608-2L
¥0.165
131963
正向压降(Vf):600mV@1.5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):100uA@40V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.19114
49518
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
BORN(伯恩半导体)
SMC
¥0.26721
18570
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150A
onsemi(安森美)
SMB
¥0.4028
6819
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 20.6 V
MDD(辰达行)
TO-220AB-3
¥0.774
225
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥0.91416
34750
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):590mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
DIODES(美台)
TO-252-2
¥1.26
588
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ElecSuper(静芯)
SOT-23
¥0.0247
0
正向压降(Vf):240mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0374
215252
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0363
1183840
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.028
72279
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.039
73833
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):10.1uA@14.0V,稳压值(范围):18.8V~21.2V
ST(先科)
LS-34
¥0.0401
37
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):500mW
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0441
649403
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):50nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
Hottech(合科泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.05574
47089
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
ST(先科)
SOD-123
¥0.0473
150980
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.0501
66268
转折电压(典型值):32V,转折电流(Ibo):50uA,通态电流(It):2A,转折电压(范围值):28V~36V