LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.0624
6018
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):90nA@8V,稳压值(范围):11.8V~12.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0671
11430
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):50uA@4.2V,稳压值(范围):5.1V~5.5V,耗散功率(Pd):500mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.06678
24030
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.068
365317
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0902
201764
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):750mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:250mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.0869
181304
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-323FL
¥0.0848
23600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:250mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.11648
20665
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):800mV@500mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:500mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.114
177484
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMC
¥0.1408
88430
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
晶导微电子
SMC
¥0.143
112104
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.144
26750
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
ST(先科)
MBS
¥0.13728
8334
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.155
18057
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
SMA(DO-214AC)
¥0.2128
14550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.277
27799
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@2A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:2A
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.263549
29137
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):525 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
KBL
¥0.62808
5543
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@800V
晶导微电子
UMSB
¥1.5496
12657
正向压降(Vf):590mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@60V
华轩阳
SOD-123F
¥0.01248
36642
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.022785
156957
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@7.5V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0264
285670
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:250mA
晶导微电子
SOD-323
¥0.0306
247203
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA@2V,稳压值(范围):4.4V~5V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.03338
39720
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.2V~16.8V
华轩阳
MBS
¥0.03578
26658
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0469
909004
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
TWGMC(台湾迪嘉)
MBS
¥0.05013
55164
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.06516
21568
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.06968
323245
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.06791
22640
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):150uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):10Ω
Nexperia(安世)
SOT-323(SC-70)
¥0.077309
27533
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
晶导微电子
SMA
¥0.0792
393003
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
DOWO(东沃)
SMB
¥0.0896
83894
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.09558
20694
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.1002
142595
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.0916
4942999
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SMAF
¥0.113
110584
正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@200V
Nexperia(安世)
SOD-882
¥0.177408
8724666
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
PowerDI-123
¥0.165
150519
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):1uA@100V
onsemi(安森美)
DO-204
¥0.1332
9400
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.231
12094
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
ST(意法半导体)
SOD-123
¥0.21
25290
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.318402
38034
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.6032
28486
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 11.5 V
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.01548
47880
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0212
137116
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@10V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.0244
56370
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.02799
123698
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOD-123FL
¥0.0257
146334
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.03237
17097
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@22V,稳压值(范围):28V~32V