FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.21069
80663
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):840mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.2231
4060
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 250 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.3775
3470
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):340 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.25713
163442
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):875mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.4015
9875
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.37
34337
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):70V,电流 - 最大值:15 mA,不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz,功率耗散(最大值):333 mW
DIODES(美台)
SMA
¥0.334
25482
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 20.5 V
VISHAY(威世)
DO-219AB(SMF)
¥0.5039
1353
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.384
376227
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-216AA
¥0.493
259397
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.72
103832
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):875 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SOD-323
¥0.0182
304777
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.02484
40349
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.02692
136839
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOT-23
¥0.03047
39667
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:215mA
JUXING(钜兴)
SOD-123
¥0.031635
5050
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23(TO-236)
¥0.03348
33048
正向压降(Vf):520mV@250mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.03446
1168459
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-523(SC-79)
¥0.03906
21650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:250mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.048639
29667
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.048918
48633
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.03763
93165
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.042
869937
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
FUXINSEMI(富芯森美)
LL-34(SOD-80)
¥0.0576
20600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0527
189691
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0634
103313
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.0699
16539
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.08664
47061
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2.5V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
DO-214AC(SMA)
¥0.0909
11220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):4.84V~5.36V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.092625
27960
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.0946
384138
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
WILLSEMI(韦尔)
DFN1006-2L
¥0.08944
70593
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):1uA@40V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1
121729
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 4 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.155
211874
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
BORN(伯恩半导体)
SMB
¥0.1854
6210
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):50uA@100V
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.19
8923
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.253
134916
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA@3.0V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.41
207185
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.425
169453
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SOD-323
¥0.55
35112
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
GBJ
¥1.408
4074
正向压降(Vf):1.05V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10A@1kV
GOODWORK(固得沃克)
SOT-23
¥0.0209
117152
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.02196
9046
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.04368
17883
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
ST(先科)
LL-34
¥0.044
208372
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V,耗散功率(Pd):500mW
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.04701
46362
正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V
LRC(乐山无线电)
SOT-323-3
¥0.0445
1189778
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:215mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0611
34870
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA@2V,稳压值(范围):4.4V~5V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.0506
145525
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
华轩阳
SOD-123F
¥0.05432
14870
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A