FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.0388
224517
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.049
461300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.047685
25710
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.047
1041037
正向压降(Vf):560mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:120mA,反向电流(Ir):1uA
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06427
12511
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 9 V
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.06138
177781
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0671
258718
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):5V~5.2V
KUU(永裕泰)
SOP-4
¥0.06644
70018
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0764
4966460
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
Hottech(合科泰)
DBS
¥0.0971
54645
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):10uA,工作结温范围:-55℃~+150℃
UMW(友台半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.1005
10950
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):200uA@60V
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.42328
51423
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.5875
7315
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):490mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
SHIKUES(时科)
MBS
¥0.571
9357
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@100V
onsemi(安森美)
DO-216AA
¥0.85
34926
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.9186
6452
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
SOD-123F
¥0.011625
344270
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.02964
136847
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.033
41975
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):1uA@5.0V,稳压值(范围):7V~7.9V
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.02968
140322
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.039
60130
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):15uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0495
277940
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
晶导微电子
MBS
¥0.0506
152360
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@200V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.09485
63833
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0955
50890
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.11
38595
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):44 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.121
92620
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):13.8V~15.8V
ST(意法半导体)
SOD-123
¥0.2
124844
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(先科)
SMB(DO-214AA)
¥0.224
5720
正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,工作结温范围:-65℃~+150℃
DIODES(美台)
DO-214AD
¥0.286
65016
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.472
44400
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):360 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.0209
843870
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
华轩阳
LL-34
¥0.025116
8750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@18V,稳压值(范围):22.8V~25.6V
YFW(佑风微)
SOD-323
¥0.0281
7250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0563
30868
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA@7.0V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.044
2164326
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0552
5990
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SC-79,SOD-523
¥0.072
325089
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.112
17621
正向压降(Vf):510mV@500mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):20uA@40V
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0905
300291
正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@200V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1024
9922
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.115
18091
正向压降(Vf):430mV@500mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):130uA@30V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.145
106492
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.14
1215242
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,工作结温范围:-55℃~+150℃
Slkor(萨科微)
DBS
¥0.140505
50488
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.18304
146495
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.1823
123967
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.3553
36830
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BOURNS(伯恩斯)
1206
¥1.2
3389
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Hottech(合科泰)
SOD-123
¥0.02434
12986
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:500mA,耗散功率(Pd):500mW