YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.174
92525
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.214
25970
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 9.1 V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.24128
93660
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.28233
8780
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@8A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:8A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.206
33109
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):1.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.43738
4275
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.39051
5680
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):900mV@20A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
LGE(鲁光)
TO-277
¥0.754015
26142
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):570mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.73
37636
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-214AC,SMA
¥1
12534
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
MiniMELF(LL-34)
¥0.0231
120994
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.7V~4.1V
JSMSEMI(杰盛微)
DO-214AC
¥0.022685
85200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.0283
177138
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CBI(创基)
SOD-523
¥0.026
15816
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.03458
194040
正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
MSKSEMI(美森科)
SMA(DO-214AC)
¥0.03411
50218
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.03744
41639
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):10.1uA,稳压值(范围):20.8V~23.3V
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.049
687252
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):175mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.055
224880
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2.0V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
TWGMC(台湾迪嘉)
MBS
¥0.058
85184
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.06438
23990
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
SMB
¥0.07929
22120
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0836
719048
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@60V
ST(先科)
LL-41
¥0.112
96631
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,耗散功率(Pd):1W
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.10161
203874
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.129
154698
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.1795
75197
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.19978
160825
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
BORN(伯恩半导体)
SMA
¥0.225
11280
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@100V
DIODES(美台)
SOPA-4
¥0.3107
33710
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.417186
88986
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.514
26663
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥0.97656
43751
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):420mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
TO-277
¥1.06349
11718
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):340mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
TO-277
¥1.422
2373
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@15A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:15A
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥1.4352
2266
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥1.95
541
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):475 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.02691
48135
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
ST(先科)
LL-34
¥0.026
13947
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):500mW
YFW(佑风微)
SOD-323
¥0.03359
11472
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
LRC(乐山无线电)
SC-70-3
¥0.0475
254814
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):400mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0874
11378
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.048
48120
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0627
27212
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):31V~35V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0524
191848
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):15.3V~17.1V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.078
162772
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800 nA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-323
¥0.0632
4140
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0827
35572
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):50nA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0698
71469
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0742
126772
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:2A