MDD(辰达行)
TO-277
¥0.70005
39895
正向压降(Vf):450mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):300uA@45V
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-277B
¥0.728
203828
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):400mV@8A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.02375
180822
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.04264
588160
正向压降(Vf):390mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):1uA
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.049385
53680
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0504
25566
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):400mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0649
46964
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
晶导微电子
SMA
¥0.0792
328723
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):5.86V~6.51V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-323
¥0.0935
29014
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TOSHIBA(东芝)
SC-76(SOD-323)
¥0.12
71276
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):280 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMA(DO-214AC)
¥0.116
428377
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
VISHAY(威世)
MicroSMP
¥0.147
324689
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.168
28625
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.18372
84876
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.17
299294
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.334475
10495
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:8A
华轩阳
LL-34
¥0.02246
70930
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):4uA@1V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.0307
58906
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.03744
81282
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):13uA@2.0V,稳压值(范围):4.4V~5V
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.04784
12314
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.08518
23213
正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.19
79732
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-323HE
¥0.16328
290261
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@40V
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.223
73535
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.299
65829
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.40161
182172
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMC(DO-214AB)
¥0.636
264166
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
DO-214AC,SMA
¥0.8631
5365
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1.4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):330 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.0145
65977
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
JUXING(钜兴)
SOD-123
¥0.031825
4200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.048081
46578
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0454
40665
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-723
¥0.06336
32939
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):350mV@10mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FOSAN(富信)
SMA
¥0.06094
188908
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@60V
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.08258
15928
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:225mA
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.0608
37250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.08189
53553
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):50uA@100V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.09048
258164
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.11336
59074
正向压降(Vf):500mV@1.5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
JJW(捷捷微)
DO-214AC(SMA)
¥0.115
76329
正向压降(Vf):1.15V@1.5A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.1408
16529
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.15288
25333
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):480mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
PowerDI-123
¥0.13784
6500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.3536
256511
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):830 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.546
142416
二极管类型:雪崩,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1300 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SOD-323
¥0.0155
76242
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
华轩阳
LL-34
¥0.0201
21174
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):100nA@6.2V,稳压值(范围):7.7V~8.7V
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0264
3802876
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:250mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0311
84219
正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.031
349645
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A