华轩阳
LL-34
¥0.0216
32828
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):4V~4.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.042
1736895
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):5.8V~6.6V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.056
514452
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1.5 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.06271
70471
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):9.5V~10.5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0748
83677
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.2V~16.8V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.07896
13620
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
KUU(永裕泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.082632
58374
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.121
637370
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):590 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1784
384102
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.20664
26823
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SMA
¥0.24
230096
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 13.7 V
DIODES(美台)
SMB
¥0.263
31273
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.28
18130
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
SUNMATE(森美特)
SMC
¥0.303145
3560
正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.312243
21586
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):360 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-219AB(SMF)
¥0.368
295188
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1.1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 1.1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.507
109095
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMC(DO-214AB)
¥0.6408
470898
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Hottech(合科泰)
LL-34
¥0.033155
16597
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):13.8V~15.6V,耗散功率(Pd):500mW
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.0392
36022
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
SOD-80
¥0.04378
116493
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA@1.0V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
ST(先科)
SOT-23
¥0.0448
65501
正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.046
30080
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):15.3V~17.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0577
21311
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):18.8V~21.2V
华轩阳
SMB
¥0.073815
26368
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0435
10894
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:225mA,耗散功率(Pd):350mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
68704
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.5V@300mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-882
¥0.07176
78153
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
KEXIN(科信)
SOD-123FL
¥0.0922
3823
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):50A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.0739
158108
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.104
134958
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.15741
26215
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.3
36945
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
Kyocera(京瓷)/AVX
0603
¥0.461838
1080
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-220AA(SMP)
¥0.517
55382
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.699
59385
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-214AA(SMB)
¥1.34828
9886
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 1 V
MDD(辰达行)
GBU
¥0.744
34259
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@1kV
KUU(永裕泰)
SMA
¥0.017204
313460
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOD-123
¥0.02226
26294
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
GOODWORK(固得沃克)
MBF
¥0.0324
72340
正向压降(Vf):1V@300mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:600mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0334
15394
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-523
¥0.05252
154796
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):150mW
UMW(友台半导体)
SOT-23-3
¥0.05252
11630
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.05803
1425225
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.05512
854454
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.8V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0814
154913
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.104
184480
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 4 V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.12272
108149
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:2A
BORN(伯恩半导体)
SMA
¥0.1431
18684
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@100V