BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.155589
26693
正向压降(Vf):750mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+125℃
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.15264
73205
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.262191
148613
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):525 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.2623
21208
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SOD-123F
¥0.01685
42812
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.04555
136071
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@100V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.06354
125266
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2.5 V
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0819
245065
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@20V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.072
191597
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.113
23941
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.1771
46159
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.214
33096
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
DIODES(美台)
SMA
¥0.3432
99686
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.5632
108594
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.913
5135
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@20A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:20A
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.022878
138046
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
YFW(佑风微)
SOD-123
¥0.02402
37836
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.5V@300mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323(SC-90)
¥0.02974
128728
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-523
¥0.03264
43200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:125mA
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0446
566272
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
KEXIN(科信)
SOD-123
¥0.0535
8900
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):25A
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.06562
223300
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.079
1946580
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-204AH,DO-35,轴向
¥0.104
193512
电压 - 导通:28 ~ 36V,电流 - 导通:50 µA,电流 - 峰值输出:2 A,工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ),封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.09504
34954
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.11
104436
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1092
36894
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.121
1845453
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,工作结温范围:-55℃~+150℃
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.2297
11616
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.285
584629
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
TO-277
¥0.573135
1770
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):670mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.513
191942
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.022515
75145
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
CBI(创基)
SOD-123
¥0.01716
86119
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
晶导微电子
SMA
¥0.0231
2568234
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.0364
12472
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0333
375865
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):200mW
ST(先科)
LL-34
¥0.0499
94518
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):5.2V~6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.052725
32794
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):14.7V~15.3V,耗散功率(Pd):500mW
JSMSEMI(杰盛微)
SMB
¥0.07521
21353
正向压降(Vf):875mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):2uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.1121
2000
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):9A
BORN(伯恩半导体)
DO-214AA
¥0.122
15395
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
onsemi(安森美)
SC-79,SOD-523
¥0.1077
799500
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MDD(辰达行)
DO-214AA(SMB)
¥0.1272
62407
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@3.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.1172
10540
正向压降(Vf):380mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):250uA@20V
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.14
322240
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.21
37488
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):360 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.19
624800
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AA
¥0.359
984079
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.426
345945
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)