TECH PUBLIC(台舟)
SOD-523
¥0.03578
13152
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.03744
51008
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.04285
18501
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-123
¥0.0296
23366
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0445
427106
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,稳压值(范围):11.4V~12.7V,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0741
12561
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.05061
399739
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.05439
11658
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07856
29049
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA,稳压值(范围):7.7V~8.7V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0646
33308
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.06975
25203
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.08266
22385
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):6 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 6 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1
134265
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.129
6875
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
晶导微电子
SMB
¥0.14456
314546
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.17695
72828
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
Leiditech(雷卯电子)
SMA
¥0.2014
12748
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.32
215422
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.2891
244555
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
DIODES(美台)
SMA
¥0.337
106880
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA
¥0.36
350804
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.337
25347
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.6V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A
onsemi(安森美)
SMB
¥0.4312
43003
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
DIODES(美台)
SMA
¥0.79
14855
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-252
¥0.766
140061
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):840mV@20A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SOIC-4
¥0.84656
2599
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
YFW(佑风微)
TO-263
¥1.72
3723
正向压降(Vf):840mV@30A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:60A,反向电流(Ir):3mA@100V
晶导微电子
SMA
¥0.0224
1321722
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.03068
175931
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.0326
25300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):15.3V~17.1V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03624
18050
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.03848
5434
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
CBI(创基)
SOD-523
¥0.0393
59171
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):4.4V~5V
华轩阳
SOT-23
¥0.03671
47169
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA
ElecSuper(静芯)
DO-214AC(SMA)
¥0.046718
69950
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0562
79699
正向压降(Vf):1.7V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.055
1581320
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.12711
11890
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOD-80
¥0.0908
4620
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1166
90581
正向压降(Vf):700mV@1.5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
Slkor(萨科微)
SOD-323
¥0.11
13612
正向压降(Vf):580mV@1A,直流反向耐压(Vr):10V,整流电流:3A,反向电流(Ir):2.6mA@8V
onsemi(安森美)
SOT-323(SC-70)
¥0.09693
90896
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.119035
4496
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.1216
10236
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.17037
19324
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):5.9V~6.5V
德昌电子
DO-41
¥0.1771
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.135V~3.465V
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-27
¥0.20488
30228
正向压降(Vf):525mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):200uA@40V
YANGJIE(扬杰)
DO-201AD
¥0.25
24651
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.28863
61924
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.3785
34887
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@8A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:8A